微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
710-715,720
,共7页
电荷泵%界面态%氧化层陷阱电荷%空间分布%能量分布
電荷泵%界麵態%氧化層陷阱電荷%空間分佈%能量分佈
전하빙%계면태%양화층함정전하%공간분포%능량분포
随着CMOS工艺的发展,栅介质层厚度不断减薄,而电源电压并没有等比例缩小,导致栅漏电流不断增大,测量界面态的传统方法受到限制.介绍了电荷泵技术在表征深亚微米和超深亚微米器件Si/SiO2界面特性方面的应用；详述如何测量界面态和氧化层陷阱电荷的横向分布、能量分布和体陷阱深度分布；分析了当前电荷泵技术存在的问题和面临的挑战,提出通过抵消直接隧穿电流的影响,对电荷泵电流进行修正,使电荷泵技术能够在不同工艺下得到广泛应用.
隨著CMOS工藝的髮展,柵介質層厚度不斷減薄,而電源電壓併沒有等比例縮小,導緻柵漏電流不斷增大,測量界麵態的傳統方法受到限製.介紹瞭電荷泵技術在錶徵深亞微米和超深亞微米器件Si/SiO2界麵特性方麵的應用；詳述如何測量界麵態和氧化層陷阱電荷的橫嚮分佈、能量分佈和體陷阱深度分佈；分析瞭噹前電荷泵技術存在的問題和麵臨的挑戰,提齣通過牴消直接隧穿電流的影響,對電荷泵電流進行脩正,使電荷泵技術能夠在不同工藝下得到廣汎應用.
수착CMOS공예적발전,책개질층후도불단감박,이전원전압병몰유등비례축소,도치책루전류불단증대,측량계면태적전통방법수도한제.개소료전하빙기술재표정심아미미화초심아미미기건Si/SiO2계면특성방면적응용；상술여하측량계면태화양화층함정전하적횡향분포、능량분포화체함정심도분포；분석료당전전하빙기술존재적문제화면림적도전,제출통과저소직접수천전류적영향,대전하빙전류진행수정,사전하빙기술능구재불동공예하득도엄범응용.
