电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2004年
1期
27-30
,共4页
付永朝%杨银堂%朱樟明%朱磊
付永朝%楊銀堂%硃樟明%硃磊
부영조%양은당%주장명%주뢰
前馈补偿%CMOS%运算放大器%折叠共源共栅
前饋補償%CMOS%運算放大器%摺疊共源共柵
전궤보상%CMOS%운산방대기%절첩공원공책
基于传统CMOS折叠共源共栅运算放大器的分析和总结,应用前馈补偿技术,实现了一种高性能CMOS折叠共源共栅运算放大器,不仅保证了高开环增益,而且还大大减小了运放的输入失调电压.设计采用TSMC 0.35 μm混合信号CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果表明运放的直流开环增益为95dB,输入失调电压为0.023 mV,负载电容为2pF时的相位裕度为45.5°.
基于傳統CMOS摺疊共源共柵運算放大器的分析和總結,應用前饋補償技術,實現瞭一種高性能CMOS摺疊共源共柵運算放大器,不僅保證瞭高開環增益,而且還大大減小瞭運放的輸入失調電壓.設計採用TSMC 0.35 μm混閤信號CMOS工藝實現,採用Hspice進行倣真,倣真結果錶明運放的直流開環增益為95dB,輸入失調電壓為0.023 mV,負載電容為2pF時的相位裕度為45.5°.
기우전통CMOS절첩공원공책운산방대기적분석화총결,응용전궤보상기술,실현료일충고성능CMOS절첩공원공책운산방대기,불부보증료고개배증익,이차환대대감소료운방적수입실조전압.설계채용TSMC 0.35 μm혼합신호CMOS공예실현,채용Hspice진행방진,방진결과표명운방적직류개배증익위95dB,수입실조전압위0.023 mV,부재전용위2pF시적상위유도위45.5°.