电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2006年
9期
38-40
,共3页
薄膜%晶粒生长%平均晶粒尺寸
薄膜%晶粒生長%平均晶粒呎吋
박막%정립생장%평균정립척촌
通过建立一个理论模型研究了薄膜中正常晶粒生长过程中晶粒的变化情况.晶粒按照边长数被分成不同的组,可以通过晶粒消失与晶界转换两种方式来改变边长的数目,在不同组之间进行转换.晶粒的长大与缩小由边长数与晶粒大小决定.计算机模拟的结果表明平均晶粒尺寸随时间呈线性增长,晶粒尺寸分布与已报道的结果基本一致.
通過建立一箇理論模型研究瞭薄膜中正常晶粒生長過程中晶粒的變化情況.晶粒按照邊長數被分成不同的組,可以通過晶粒消失與晶界轉換兩種方式來改變邊長的數目,在不同組之間進行轉換.晶粒的長大與縮小由邊長數與晶粒大小決定.計算機模擬的結果錶明平均晶粒呎吋隨時間呈線性增長,晶粒呎吋分佈與已報道的結果基本一緻.
통과건립일개이론모형연구료박막중정상정립생장과정중정립적변화정황.정립안조변장수피분성불동적조,가이통과정립소실여정계전환량충방식래개변변장적수목,재불동조지간진행전환.정립적장대여축소유변장수여정립대소결정.계산궤모의적결과표명평균정립척촌수시간정선성증장,정립척촌분포여이보도적결과기본일치.
