电子与封装
電子與封裝
전자여봉장
EIECTRONICS AND PACKAGING
2008年
3期
18-21
,共4页
峰值场强%触发电压VB%维持电压VH%晶格温度%二次击穿电流
峰值場彊%觸髮電壓VB%維持電壓VH%晶格溫度%二次擊穿電流
봉치장강%촉발전압VB%유지전압VH%정격온도%이차격천전류
NMOS管I-V曲线在ESD(electrostatic discharges)脉冲电流作用下呈现出反转特性,其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力.文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析.模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响.最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的.
NMOS管I-V麯線在ESD(electrostatic discharges)脈遲電流作用下呈現齣反轉特性,其維持電壓VH、維持電流IH、觸髮電壓VB、觸髮電流IB以及二次擊穿電流等參數將會影響NMOS管器件的抗ESD能力.文章通過採用SILVACO軟件,對1.0μm工藝不同溝長和工藝條件的NMOS管靜電放電時的峰值電場、晶格溫度以及VH進行瞭模擬和分析.模擬髮現,在ESD觸髮時,增加ESD註入工藝將使結峰值場彊增彊,VH減小、VB減小,晶格溫度降低;器件溝長和觸髮電壓VB具有明顯正相關特性,但對VH基本無影響.最後分析認為NMOS管ESD失效主要錶現為高電流引起的熱失效,而電場擊穿引起的介質失效是次要的.
NMOS관I-V곡선재ESD(electrostatic discharges)맥충전류작용하정현출반전특성,기유지전압VH、유지전류IH、촉발전압VB、촉발전류IB이급이차격천전류등삼수장회영향NMOS관기건적항ESD능력.문장통과채용SILVACO연건,대1.0μm공예불동구장화공예조건적NMOS관정전방전시적봉치전장、정격온도이급VH진행료모의화분석.모의발현,재ESD촉발시,증가ESD주입공예장사결봉치장강증강,VH감소、VB감소,정격온도강저;기건구장화촉발전압VB구유명현정상관특성,단대VH기본무영향.최후분석인위NMOS관ESD실효주요표현위고전류인기적열실효,이전장격천인기적개질실효시차요적.
