GaN基激光器多量子阱垒材料的研究
GaN기격광기다양자정루재료적연구
Research on AlInGaN Quaternary Alloys as MQW Barriers in GaN-Based Laser Diodes
  • 万方数据
    光谱学与光谱分析 광보학여광보분석
    SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
    2009年 6期 1441-1444 ,共4页

    陈伟华%廖辉%胡晓东%李睿%贾全杰%金元浩%杜为民%杨志坚%张国义

    진위화%료휘%호효동%리예%가전걸%금원호%두위민%양지견%장국의

    CaN基激光器%多量子阱(MQWs)%AlInGaN%垒材料 CaN基激光器%多量子阱(MQWs)%AlInGaN%壘材料
    CaN기격광기%다양자정(MQWs)%AlInGaN%루재료
    在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构,并分别制作了脊形波导GaN基激光器.同步辐射X射线衍射,电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-D)测试证明,相对于GaN垒材料,InGaN垒材料,AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量,提高量子阱的最子效率及降低激光器阈值电流.相关的机制为:组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加,阱区收集载流子的能力增强;In的掺入能更多地补偿应力,减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度;In的掺人还减小了量子阱中应力引致的压电场,电子空穴波函数空间交叠得以加强,使得辐射复合增加.
    재(0001)람보석츤저상분별용금속유궤화학기상침적기술외연생장료InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlInGaN다양자정격광기결구,병분별제작료척형파도GaN기격광기.동보복사X사선연사,전주입수격발사광보측시급광공솔-전류(L-D)측시증명,상대우GaN루재료,InGaN루재료,AlInGaN사원합금루재료경능개선다양자정적정체질량,제고양자정적최자효솔급강저격광기역치전류.상관적궤제위:조분조절합괄적사원합금루층중Al적참입사득양자정세루고도증가,정구수집재류자적능력증강;In적참입능경다지보상응력,감소료유우결함화위착소산생적비복사복합중심밀도;In적참인환감소료양자정중응력인치적압전장,전자공혈파함수공간교첩득이가강,사득복사복합증가.
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