微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
3期
332-335,340
,共5页
衬底驱动运放%温度补偿%共源共栅%带隙基准
襯底驅動運放%溫度補償%共源共柵%帶隙基準
츤저구동운방%온도보상%공원공책%대극기준
采用TSMC 0.25μm CMOS工艺,提出了一种基于衬底驱动放大器的高精度带隙基准(BGR)电路.采用衬底驱动技术的放大器,有效地降低了电源电压;通过PTAT 2电流产生电路对基准电路进行2阶温度补偿,有效地降低了输出基准电压的温度系数;采用改进型共源共栅输出级电路,很好地改善了电路的电源抑制比(PSRR),HSPICE仿真结果显示:在2V供电电压下,输出基准电压为1.261 V,温度系数为8.24 × 10-6 /℃,低频电源抑制比为-91 dB.整体电路功耗为1.37 mW.
採用TSMC 0.25μm CMOS工藝,提齣瞭一種基于襯底驅動放大器的高精度帶隙基準(BGR)電路.採用襯底驅動技術的放大器,有效地降低瞭電源電壓;通過PTAT 2電流產生電路對基準電路進行2階溫度補償,有效地降低瞭輸齣基準電壓的溫度繫數;採用改進型共源共柵輸齣級電路,很好地改善瞭電路的電源抑製比(PSRR),HSPICE倣真結果顯示:在2V供電電壓下,輸齣基準電壓為1.261 V,溫度繫數為8.24 × 10-6 /℃,低頻電源抑製比為-91 dB.整體電路功耗為1.37 mW.
채용TSMC 0.25μm CMOS공예,제출료일충기우츤저구동방대기적고정도대극기준(BGR)전로.채용츤저구동기술적방대기,유효지강저료전원전압;통과PTAT 2전유산생전로대기준전로진행2계온도보상,유효지강저료수출기준전압적온도계수;채용개진형공원공책수출급전로,흔호지개선료전로적전원억제비(PSRR),HSPICE방진결과현시:재2V공전전압하,수출기준전압위1.261 V,온도계수위8.24 × 10-6 /℃,저빈전원억제비위-91 dB.정체전로공모위1.37 mW.
