发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2005年
6期
757-760
,共4页
冯玉春%张建宝%朱军山%杨建文%胡加辉%王文欣
馮玉春%張建寶%硃軍山%楊建文%鬍加輝%王文訢
풍옥춘%장건보%주군산%양건문%호가휘%왕문흔
p型氮化镓%Ni-铟锡氧化物(Ni/ITO)%欧姆接触
p型氮化鎵%Ni-銦錫氧化物(Ni/ITO)%歐姆接觸
p형담화가%Ni-인석양화물(Ni/ITO)%구모접촉
通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了Ni层厚度和Ni层的高温退火对Ni/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了Ni/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化Ni金属层的方法.获得接触电阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透过率达到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN电极.
通過環形傳輸線方法(CTLM),電流-電壓(I-V)麯線、光學透過率、錶麵形貌等手段,研究瞭Ni層厚度和Ni層的高溫退火對Ni/ITO與p型氮化鎵接觸特性的影響,探討瞭Ni/ITO-p-GaN歐姆接觸的形成機製,提齣瞭低溫氧化Ni金屬層的方法.穫得接觸電阻率(ρc)小于9.5×10-5 Ω·cm2,透過率達到74%(470 nm)的Ni/ITO-p-GaN電極.
통과배형전수선방법(CTLM),전류-전압(I-V)곡선、광학투과솔、표면형모등수단,연구료Ni층후도화Ni층적고온퇴화대Ni/ITO여p형담화가접촉특성적영향,탐토료Ni/ITO-p-GaN구모접촉적형성궤제,제출료저온양화Ni금속층적방법.획득접촉전조솔(ρc)소우9.5×10-5 Ω·cm2,투과솔체도74%(470 nm)적Ni/ITO-p-GaN전겁.
