半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2005年
5期
58-61
,共4页
单霞%杜磊%万长兴%包军林
單霞%杜磊%萬長興%包軍林
단하%두뢰%만장흥%포군림
金属/半导体接触孔%1/f噪声%可靠性
金屬/半導體接觸孔%1/f譟聲%可靠性
금속/반도체접촉공%1/f조성%가고성
通过对1μm金属/半导体接触孔链样品施加高应力的加速寿命试验和室温下的噪声频谱测量,得到了1/f噪声、10Hz点频功率谱特征及其变化规律.实验中发现应力前后1/f噪声10Hz点频功率谱有明显的变化.对比实验中电阻和噪声的变化,噪声变化量是电阻变化量的1304倍.1/f噪声可以作为金属/半导体接触孔可靠性的灵敏表征参量.
通過對1μm金屬/半導體接觸孔鏈樣品施加高應力的加速壽命試驗和室溫下的譟聲頻譜測量,得到瞭1/f譟聲、10Hz點頻功率譜特徵及其變化規律.實驗中髮現應力前後1/f譟聲10Hz點頻功率譜有明顯的變化.對比實驗中電阻和譟聲的變化,譟聲變化量是電阻變化量的1304倍.1/f譟聲可以作為金屬/半導體接觸孔可靠性的靈敏錶徵參量.
통과대1μm금속/반도체접촉공련양품시가고응력적가속수명시험화실온하적조성빈보측량,득도료1/f조성、10Hz점빈공솔보특정급기변화규률.실험중발현응력전후1/f조성10Hz점빈공솔보유명현적변화.대비실험중전조화조성적변화,조성변화량시전조변화량적1304배.1/f조성가이작위금속/반도체접촉공가고성적령민표정삼량.
