半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
z1期
212-215
,共4页
陈少武%余金中%刘敬伟%王章涛%夏金松%樊中朝
陳少武%餘金中%劉敬偉%王章濤%夏金鬆%樊中朝
진소무%여금중%류경위%왕장도%하금송%번중조
光波导%SOI材料%单模条件%光开关/光开关矩阵
光波導%SOI材料%單模條件%光開關/光開關矩陣
광파도%SOI재료%단모조건%광개관/광개관구진
报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode interference)集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关,开关转换速度达到了5～8μs,驱动功耗仅为140mW,是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的.在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵,并实现了光信号在不同信道间的转换.
報道瞭基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波導和集成波導光開關矩陣的最新研究進展.給齣瞭截麵為梯形的脊波導的單模條件,設計製備瞭MMI(multimode interference)集成耦閤器和基于Mach-Zehnder光波導榦涉儀的熱光型2×2光開關,開關轉換速度達到瞭5～8μs,驅動功耗僅為140mW,是噹前國際上同類型光開關中轉換速度最快的.在此基礎上製備成功瞭4×4波導光開關矩陣,併實現瞭光信號在不同信道間的轉換.
보도료기우SOI(silicon-on-insulator)재료적광파도화집성파도광개관구진적최신연구진전.급출료절면위제형적척파도적단모조건,설계제비료MMI(multimode interference)집성우합기화기우Mach-Zehnder광파도간섭의적열광형2×2광개관,개관전환속도체도료5～8μs,구동공모부위140mW,시당전국제상동류형광개관중전환속도최쾌적.재차기출상제비성공료4×4파도광개관구진,병실현료광신호재불동신도간적전환.
