厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2008年
2期
169-171
,共3页
何熙%陈松岩%方辉%罗仲梓%谷丹丹
何熙%陳鬆巖%方輝%囉仲梓%穀丹丹
하희%진송암%방휘%라중재%곡단단
微互连柱%AZ5214E%反转%剥离
微互連柱%AZ5214E%反轉%剝離
미호련주%AZ5214E%반전%박리
基于一般正胶光刻工艺的剥离工艺,所需胶膜的厚度要大大超过剥离薄膜的厚度,这样在剥离线宽小、厚度大的微腔结构探测器的金属互连柱图形时就会存在光刻分辨率低、剥离难的问题.本文重点研究了基于AZ5214E光刻胶图像反转性能的剥离工艺,对图像反转光刻所特有的反转烘、掩模曝光、泛曝光工艺条件进行了详细的对比实验.结果表明:当反转烘温度为96～98℃,第一次掩模曝光时间和泛曝光时间分别为8.1 s、8.4 s时,可以得到较好的光刻图形.通过电子束蒸发Ti,成功剥离出高2.40μm、面积3.0 μm×3.0 μm的Ti微互连柱.此工艺的优点在于分辨率高,胶膜与剥离薄膜的厚度比接近1时,也能剥离出所要图形,可以用于制备MEMS微腔器件中的微互连柱.
基于一般正膠光刻工藝的剝離工藝,所需膠膜的厚度要大大超過剝離薄膜的厚度,這樣在剝離線寬小、厚度大的微腔結構探測器的金屬互連柱圖形時就會存在光刻分辨率低、剝離難的問題.本文重點研究瞭基于AZ5214E光刻膠圖像反轉性能的剝離工藝,對圖像反轉光刻所特有的反轉烘、掩模曝光、汎曝光工藝條件進行瞭詳細的對比實驗.結果錶明:噹反轉烘溫度為96～98℃,第一次掩模曝光時間和汎曝光時間分彆為8.1 s、8.4 s時,可以得到較好的光刻圖形.通過電子束蒸髮Ti,成功剝離齣高2.40μm、麵積3.0 μm×3.0 μm的Ti微互連柱.此工藝的優點在于分辨率高,膠膜與剝離薄膜的厚度比接近1時,也能剝離齣所要圖形,可以用于製備MEMS微腔器件中的微互連柱.
기우일반정효광각공예적박리공예,소수효막적후도요대대초과박리박막적후도,저양재박리선관소、후도대적미강결구탐측기적금속호련주도형시취회존재광각분변솔저、박리난적문제.본문중점연구료기우AZ5214E광각효도상반전성능적박리공예,대도상반전광각소특유적반전홍、엄모폭광、범폭광공예조건진행료상세적대비실험.결과표명:당반전홍온도위96～98℃,제일차엄모폭광시간화범폭광시간분별위8.1 s、8.4 s시,가이득도교호적광각도형.통과전자속증발Ti,성공박리출고2.40μm、면적3.0 μm×3.0 μm적Ti미호련주.차공예적우점재우분변솔고,효막여박리박막적후도비접근1시,야능박리출소요도형,가이용우제비MEMS미강기건중적미호련주.
