半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
11期
1011-1015
,共5页
彭晓雷%牛萍娟%田海涛%李晓云%战瑛%刘伟
彭曉雷%牛萍娟%田海濤%李曉雲%戰瑛%劉偉
팽효뢰%우평연%전해도%리효운%전영%류위
侧向外延%金属有机化学气相沉积%X射线%透射电子显微镜
側嚮外延%金屬有機化學氣相沉積%X射線%透射電子顯微鏡
측향외연%금속유궤화학기상침적%X사선%투사전자현미경
为解决目前外延生长技术存在的弊端,总结了新的侧向外延方法以减少GaN中的位错密度,提高晶体质量.主要研究了在蓝宝石图形衬底上侧向外延生长GaN的技术.用MOCVD侧向外延技术的方法获得了很少位错的生长在掩膜层上的GaN薄膜,晶体的质量得到了改善.X射线和TEM测试出掩膜层能够阻挡其下GaN层中的穿透位错继续向上传播,用这种方法能够有效地降低位错密度,但同时也引出了一些新的问题.
為解決目前外延生長技術存在的弊耑,總結瞭新的側嚮外延方法以減少GaN中的位錯密度,提高晶體質量.主要研究瞭在藍寶石圖形襯底上側嚮外延生長GaN的技術.用MOCVD側嚮外延技術的方法穫得瞭很少位錯的生長在掩膜層上的GaN薄膜,晶體的質量得到瞭改善.X射線和TEM測試齣掩膜層能夠阻擋其下GaN層中的穿透位錯繼續嚮上傳播,用這種方法能夠有效地降低位錯密度,但同時也引齣瞭一些新的問題.
위해결목전외연생장기술존재적폐단,총결료신적측향외연방법이감소GaN중적위착밀도,제고정체질량.주요연구료재람보석도형츤저상측향외연생장GaN적기술.용MOCVD측향외연기술적방법획득료흔소위착적생장재엄막층상적GaN박막,정체적질량득도료개선.X사선화TEM측시출엄막층능구조당기하GaN층중적천투위착계속향상전파,용저충방법능구유효지강저위착밀도,단동시야인출료일사신적문제.
