现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2010年
2期
171-174
,共4页
总剂量效应%电子空穴对%氧化物陷阱电荷%界面态
總劑量效應%電子空穴對%氧化物陷阱電荷%界麵態
총제량효응%전자공혈대%양화물함정전하%계면태
随着核技术和空间技术的发展,越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中.介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂量效应的产生机理,详细描述电子空穴对的产生、氧化层陷阱电荷和界面陷阱的特点及对器件或电路的影响,并对现代先进工艺的抗辐射特点及应用前景进行了探讨.指出随着CMOS工艺不断按比例缩小,作为栅介质;HfO2最具应用前景,而Smart-Cut材料则是非常有发展前景的SOI材料,很可能成为今后SOI材料的主流.
隨著覈技術和空間技術的髮展,越來越多的電子設備不可避免地應用于各種輻射環境中.介紹兩類重要的輻射環境及現代工藝集成電路總劑量效應的產生機理,詳細描述電子空穴對的產生、氧化層陷阱電荷和界麵陷阱的特點及對器件或電路的影響,併對現代先進工藝的抗輻射特點及應用前景進行瞭探討.指齣隨著CMOS工藝不斷按比例縮小,作為柵介質;HfO2最具應用前景,而Smart-Cut材料則是非常有髮展前景的SOI材料,很可能成為今後SOI材料的主流.
수착핵기술화공간기술적발전,월래월다적전자설비불가피면지응용우각충복사배경중.개소량류중요적복사배경급현대공예집성전로총제량효응적산생궤리,상세묘술전자공혈대적산생、양화층함정전하화계면함정적특점급대기건혹전로적영향,병대현대선진공예적항복사특점급응용전경진행료탐토.지출수착CMOS공예불단안비례축소,작위책개질;HfO2최구응용전경,이Smart-Cut재료칙시비상유발전전경적SOI재료,흔가능성위금후SOI재료적주류.
