半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
1期
1-3,44
,共4页
潘静%李晓岚%杨瑞霞%孙聂枫
潘靜%李曉嵐%楊瑞霞%孫聶楓
반정%리효람%양서하%손섭풍
磁光电导率%霍尔效应%塞贝克效应%磷化铟%有效质量
磁光電導率%霍爾效應%塞貝剋效應%燐化銦%有效質量
자광전도솔%곽이효응%새패극효응%린화인%유효질량
对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析,研究了材料的光电导率与温度的依从关系,在295～318 K内,温度系数为-3×104 eV/K,测得的室温禁带宽度为1.339 2 eV.禁带宽度Eg的磁性系数为8.6×10-4eV/T,材料的磁光特性测量结果为1.8 T.由此数据可得,约化电子有效质量mr*为0.067m0.由热电功率测量结果可得室温塞贝克系数为565 μV/K.由此值以及霍尔测量值,可计算出状态密度有效质量md为0.075 7m0.由该值和上面提到的约化电子有效质量可得到InP样品的价带电子有效质量mv*为0.591m0.
對同一原生非摻雜InP單晶進行瞭一繫列物理測試分析,研究瞭材料的光電導率與溫度的依從關繫,在295～318 K內,溫度繫數為-3×104 eV/K,測得的室溫禁帶寬度為1.339 2 eV.禁帶寬度Eg的磁性繫數為8.6×10-4eV/T,材料的磁光特性測量結果為1.8 T.由此數據可得,約化電子有效質量mr*為0.067m0.由熱電功率測量結果可得室溫塞貝剋繫數為565 μV/K.由此值以及霍爾測量值,可計算齣狀態密度有效質量md為0.075 7m0.由該值和上麵提到的約化電子有效質量可得到InP樣品的價帶電子有效質量mv*為0.591m0.
대동일원생비참잡InP단정진행료일계렬물리측시분석,연구료재료적광전도솔여온도적의종관계,재295～318 K내,온도계수위-3×104 eV/K,측득적실온금대관도위1.339 2 eV.금대관도Eg적자성계수위8.6×10-4eV/T,재료적자광특성측량결과위1.8 T.유차수거가득,약화전자유효질량mr*위0.067m0.유열전공솔측량결과가득실온새패극계수위565 μV/K.유차치이급곽이측량치,가계산출상태밀도유효질량md위0.075 7m0.유해치화상면제도적약화전자유효질량가득도InP양품적개대전자유효질량mv*위0.591m0.
