半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
8期
991-994
,共4页
石瑞英%孙海峰%刘训春%袁志鹏%罗明雄%汪宁
石瑞英%孫海峰%劉訓春%袁誌鵬%囉明雄%汪寧
석서영%손해봉%류훈춘%원지붕%라명웅%왕저
自对准工艺%减小发射极宽度%提高InGaP/GaAs HBT的性能
自對準工藝%減小髮射極寬度%提高InGaP/GaAs HBT的性能
자대준공예%감소발사겁관도%제고InGaP/GaAs HBT적성능
在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2μm的InGaP/GaAs HBT.发射极面积为2μm×15μm时器件的截止频率高达81GHz,且集电极电流密度为7×104A/cm2时仍没有出现明显的自热效应.它的高频和直流特性均比发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT的有了显著提高,并对器件性能提高的原因进行了分析.
在髮射極寬度為3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工藝的基礎上,研究瞭髮射極寬度為2μm時髮射極與基極之間的自對準工藝,用簡單方法製備齣瞭髮射極寬度為2μm的InGaP/GaAs HBT.髮射極麵積為2μm×15μm時器件的截止頻率高達81GHz,且集電極電流密度為7×104A/cm2時仍沒有齣現明顯的自熱效應.它的高頻和直流特性均比髮射極寬度為3μm和4μm InGaP/GaAs HBT的有瞭顯著提高,併對器件性能提高的原因進行瞭分析.
재발사겁관도위3μm화4μm InGaP/GaAs HBT공예적기출상,연구료발사겁관도위2μm시발사겁여기겁지간적자대준공예,용간단방법제비출료발사겁관도위2μm적InGaP/GaAs HBT.발사겁면적위2μm×15μm시기건적절지빈솔고체81GHz,차집전겁전류밀도위7×104A/cm2시잉몰유출현명현적자열효응.타적고빈화직류특성균비발사겁관도위3μm화4μm InGaP/GaAs HBT적유료현저제고,병대기건성능제고적원인진행료분석.
