红外
紅外
홍외
INFRARED
2005年
6期
1-5
,共5页
周劲%郝一龙%武国英%杨志坚%张国义
週勁%郝一龍%武國英%楊誌堅%張國義
주경%학일룡%무국영%양지견%장국의
AlGaN/GaN MSM 肖特基 紫外响应曲线
AlGaN/GaN MSM 肖特基 紫外響應麯線
AlGaN/GaN MSM 초특기 자외향응곡선
在蓝宝石衬底上,用金属有机物气相沉积(MOCVD)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特基接触.随着退火时间的增加,金属-半导体金属(MSM)结构的I V特性曲线保持良好的对称性,但C V曲线逐渐失去其对称性.MSM探测器的紫外响应曲线具有良好的对比度和选择性,出现明显的光电导增益效应.
在藍寶石襯底上,用金屬有機物氣相沉積(MOCVD)法外延生長AlGaN/GaN異質結樣品.濺射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金屬膜,在氮氣氣氛中高溫快速退火,分彆與樣品形成歐姆接觸和肖特基接觸.隨著退火時間的增加,金屬-半導體金屬(MSM)結構的I V特性麯線保持良好的對稱性,但C V麯線逐漸失去其對稱性.MSM探測器的紫外響應麯線具有良好的對比度和選擇性,齣現明顯的光電導增益效應.
재람보석츤저상,용금속유궤물기상침적(MOCVD)법외연생장AlGaN/GaN이질결양품.천사Ti/Al/Ni/Au화Ni/Au금속막,재담기기분중고온쾌속퇴화,분별여양품형성구모접촉화초특기접촉.수착퇴화시간적증가,금속-반도체금속(MSM)결구적I V특성곡선보지량호적대칭성,단C V곡선축점실거기대칭성.MSM탐측기적자외향응곡선구유량호적대비도화선택성,출현명현적광전도증익효응.
