低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2005年
z1期
919-925
,共7页
丁莉莉%姚丹%陈莉萍%庄承钢%张开诚%陈晋平%熊光成%冯庆荣
丁莉莉%姚丹%陳莉萍%莊承鋼%張開誠%陳晉平%熊光成%馮慶榮
정리리%요단%진리평%장승강%장개성%진진평%웅광성%풍경영
MgB2薄膜%X-光衍射图%SEM图%R～T曲线%M～H曲线
MgB2薄膜%X-光衍射圖%SEM圖%R～T麯線%M～H麯線
MgB2박막%X-광연사도%SEM도%R～T곡선%M～H곡선
我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)＝40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R～T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.
我們用混閤物理化學氣相沉積(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition簡稱為HPCVD)法在Al2O3(00l)襯底上原位製備瞭MgB2超導薄膜樣品.樣品厚度約為1μm左右,最高的超導起始轉變溫度Tc(onset)＝40.3K,轉變寬度ΔT為0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩餘電阻比率RRR=R300K/R50K=10.樣品的X射線衍射分析錶明,MgB2薄膜具有較好的c軸取嚮,晶粒大小約200nm.由畢恩模型計算求得在5K和零場條件下,樣品的臨界電流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁場下測得R～T麯線可以外推得到Hc2(0K)約10T.這些結果錶明HPCVD技術在MgB2薄膜原位製備方麵有著很大的優勢,從而有利于實現MgB2薄膜在電子器件方麵的應用.
아문용혼합물이화학기상침적(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition간칭위HPCVD)법재Al2O3(00l)츤저상원위제비료MgB2초도박막양품.양품후도약위1μm좌우,최고적초도기시전변온도Tc(onset)＝40.3K,전변관도ΔT위0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,잉여전조비솔RRR=R300K/R50K=10.양품적X사선연사분석표명,MgB2박막구유교호적c축취향,정립대소약200nm.유필은모형계산구득재5K화령장조건하,양품적림계전류밀도Jc=7.6×106A/cm2,불동자장하측득R～T곡선가이외추득도Hc2(0K)약10T.저사결과표명HPCVD기술재MgB2박막원위제비방면유착흔대적우세,종이유리우실현MgB2박막재전자기건방면적응용.
