中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2006年
6期
989-993
,共5页
类金刚石薄膜%光学性质%电子结构%俄歇电子能谱
類金剛石薄膜%光學性質%電子結構%俄歇電子能譜
류금강석박막%광학성질%전자결구%아헐전자능보
以直流磁控溅射制备了类金刚石薄膜,采用原子力显微镜(AFM)观察薄膜的表面形貌,采用俄歇电子能谱(AES)分析薄膜的化学键和电子结构.将参数D定义为俄歇电子能谱(AES)中最大正峰和最低负峰之间的距离,用俄歇电子能谱中的D值求得不同沉积气压条件下制备的薄膜的sp2键的百分含量和sp2键与sp3键比率.采用紫外-可见光透射光谱(UV-Vis)分析了薄膜的光吸收特性和光学带隙.结果表明:沉积气压低于0.8 Pa时,sp2键的百分含量随沉积气压的增大而减小;薄膜的光学性质受光学带隙的直接影响.
以直流磁控濺射製備瞭類金剛石薄膜,採用原子力顯微鏡(AFM)觀察薄膜的錶麵形貌,採用俄歇電子能譜(AES)分析薄膜的化學鍵和電子結構.將參數D定義為俄歇電子能譜(AES)中最大正峰和最低負峰之間的距離,用俄歇電子能譜中的D值求得不同沉積氣壓條件下製備的薄膜的sp2鍵的百分含量和sp2鍵與sp3鍵比率.採用紫外-可見光透射光譜(UV-Vis)分析瞭薄膜的光吸收特性和光學帶隙.結果錶明:沉積氣壓低于0.8 Pa時,sp2鍵的百分含量隨沉積氣壓的增大而減小;薄膜的光學性質受光學帶隙的直接影響.
이직류자공천사제비료류금강석박막,채용원자력현미경(AFM)관찰박막적표면형모,채용아헐전자능보(AES)분석박막적화학건화전자결구.장삼수D정의위아헐전자능보(AES)중최대정봉화최저부봉지간적거리,용아헐전자능보중적D치구득불동침적기압조건하제비적박막적sp2건적백분함량화sp2건여sp3건비솔.채용자외-가견광투사광보(UV-Vis)분석료박막적광흡수특성화광학대극.결과표명:침적기압저우0.8 Pa시,sp2건적백분함량수침적기압적증대이감소;박막적광학성질수광학대극적직접영향.
