现代计算机（专业版）
現代計算機（專業版）
현대계산궤（전업판）
MODERN COMPUTER
2009年
4期
9-12
,共4页
单栅SOI MOSFET%双栅SOI MOSFET%短沟道效应%阈值电压下降
單柵SOI MOSFET%雙柵SOI MOSFET%短溝道效應%閾值電壓下降
단책SOI MOSFET%쌍책SOI MOSFET%단구도효응%역치전압하강
运用电荷分享模型推导出背界面处于耗尽状态的单栅和双栅薄膜SOI MOSFET中短沟道效应引起的阈值电压下降的理论模型.利用MadLab进行了数值模拟计算,并比较了单栅和双栅器件的结果.同时分析了沟道区掺杂浓度、硅膜厚度、栅氧化层厚度对阚值电压下降的影响.结果表明,薄膜器件有利于减小短沟道效应,而双栅器件短沟道效应比单栅器件减小4倍.另外,对于薄膜器件来说,改变器件结构要比改变器件参数对短沟道效应的抑制作用好得多.
運用電荷分享模型推導齣揹界麵處于耗儘狀態的單柵和雙柵薄膜SOI MOSFET中短溝道效應引起的閾值電壓下降的理論模型.利用MadLab進行瞭數值模擬計算,併比較瞭單柵和雙柵器件的結果.同時分析瞭溝道區摻雜濃度、硅膜厚度、柵氧化層厚度對闞值電壓下降的影響.結果錶明,薄膜器件有利于減小短溝道效應,而雙柵器件短溝道效應比單柵器件減小4倍.另外,對于薄膜器件來說,改變器件結構要比改變器件參數對短溝道效應的抑製作用好得多.
운용전하분향모형추도출배계면처우모진상태적단책화쌍책박막SOI MOSFET중단구도효응인기적역치전압하강적이론모형.이용MadLab진행료수치모의계산,병비교료단책화쌍책기건적결과.동시분석료구도구참잡농도、규막후도、책양화층후도대감치전압하강적영향.결과표명,박막기건유리우감소단구도효응,이쌍책기건단구도효응비단책기건감소4배.령외,대우박막기건래설,개변기건결구요비개변기건삼수대단구도효응적억제작용호득다.
