信息记录材料
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신식기록재료
INFORMATION RECORDING MATERIALS
2010年
3期
28-31
,共4页
低温等离子体%氮化镓薄膜%PL光谱%FTIR光谱
低溫等離子體%氮化鎵薄膜%PL光譜%FTIR光譜
저온등리자체%담화가박막%PL광보%FTIR광보
采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺,以氮气N2和三甲基镓(TMG)为反应气源,在蓝宝石衬底α-Al2O3的(0001)面上低温生长了GaN薄膜.薄膜光致发光光谱(PL)出现两个发光带,一个是中心位置位于364nm的锐而强的带边峰.另一个是中心波长在550nm(2.2eV),范围在480～700nm的强而宽的黄光发光带.傅立叶红外光谱(FTIR)观察到GaN的A1(LO)的下沿峰和E1(TO)峰,说明这是六方结构的GaN薄膜.
採用低溫等離子體增彊化學氣相沉積工藝,以氮氣N2和三甲基鎵(TMG)為反應氣源,在藍寶石襯底α-Al2O3的(0001)麵上低溫生長瞭GaN薄膜.薄膜光緻髮光光譜(PL)齣現兩箇髮光帶,一箇是中心位置位于364nm的銳而彊的帶邊峰.另一箇是中心波長在550nm(2.2eV),範圍在480～700nm的彊而寬的黃光髮光帶.傅立葉紅外光譜(FTIR)觀察到GaN的A1(LO)的下沿峰和E1(TO)峰,說明這是六方結構的GaN薄膜.
채용저온등리자체증강화학기상침적공예,이담기N2화삼갑기가(TMG)위반응기원,재람보석츤저α-Al2O3적(0001)면상저온생장료GaN박막.박막광치발광광보(PL)출현량개발광대,일개시중심위치위우364nm적예이강적대변봉.령일개시중심파장재550nm(2.2eV),범위재480～700nm적강이관적황광발광대.부립협홍외광보(FTIR)관찰도GaN적A1(LO)적하연봉화E1(TO)봉,설명저시륙방결구적GaN박막.
