中南大学学报（自然科学版）
中南大學學報（自然科學版）
중남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF CENTRAL SOUTH UNIVERSITY
2010年
1期
156-160
,共5页
赵武%屈亚东%张志勇%贠江妮%樊玎玎
趙武%屈亞東%張誌勇%贠江妮%樊玎玎
조무%굴아동%장지용%원강니%번정정
SiCN薄膜%热丝化学气相沉积法(HFCVD)%原子力显微镜(AFM)%X线衍射谱(XRD)%X线光电子能谱(XPS)
SiCN薄膜%熱絲化學氣相沉積法(HFCVD)%原子力顯微鏡(AFM)%X線衍射譜(XRD)%X線光電子能譜(XPS)
SiCN박막%열사화학기상침적법(HFCVD)%원자력현미경(AFM)%X선연사보(XRD)%X선광전자능보(XPS)
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)系统,在单晶Si衬底上制备SiCN薄膜.所采用的源气体为高纯的SiH4,CH4和N2.用原子力显微镜(AFM)、X线衍射谱(XRD)和X线光电子能谱(XPS)对样品进行表征与分析.研究结果表明:SiCN薄膜表面由许多粒径不均匀、聚集紧密的SiCN颗粒组成;薄膜虽然已经晶化,但晶化并不充分,存在着微晶和非晶成分,通过Jade软件拟合计算出薄膜的结晶度为48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的简单混合,薄膜中Si,C和N这3种元素之间存在多种结合态,主要的化学结合状态为Si-N,Si-N-C,C-N,N=C和N-Si-C键,但是,没有观察到Si-C键,说明所制备的薄膜形成了复杂的网络结构.
採用熱絲化學氣相沉積(HFCVD)繫統,在單晶Si襯底上製備SiCN薄膜.所採用的源氣體為高純的SiH4,CH4和N2.用原子力顯微鏡(AFM)、X線衍射譜(XRD)和X線光電子能譜(XPS)對樣品進行錶徵與分析.研究結果錶明:SiCN薄膜錶麵由許多粒徑不均勻、聚集緊密的SiCN顆粒組成;薄膜雖然已經晶化,但晶化併不充分,存在著微晶和非晶成分,通過Jade軟件擬閤計算齣薄膜的結晶度為48.72%;SiCN薄膜不是SiC和Si3N4的簡單混閤,薄膜中Si,C和N這3種元素之間存在多種結閤態,主要的化學結閤狀態為Si-N,Si-N-C,C-N,N=C和N-Si-C鍵,但是,沒有觀察到Si-C鍵,說明所製備的薄膜形成瞭複雜的網絡結構.
채용열사화학기상침적(HFCVD)계통,재단정Si츤저상제비SiCN박막.소채용적원기체위고순적SiH4,CH4화N2.용원자력현미경(AFM)、X선연사보(XRD)화X선광전자능보(XPS)대양품진행표정여분석.연구결과표명:SiCN박막표면유허다립경불균균、취집긴밀적SiCN과립조성;박막수연이경정화,단정화병불충분,존재착미정화비정성분,통과Jade연건의합계산출박막적결정도위48.72%;SiCN박막불시SiC화Si3N4적간단혼합,박막중Si,C화N저3충원소지간존재다충결합태,주요적화학결합상태위Si-N,Si-N-C,C-N,N=C화N-Si-C건,단시,몰유관찰도Si-C건,설명소제비적박막형성료복잡적망락결구.
