中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2011年
6期
84-87,93
,共5页
卢普生%李雪%范忠%吕冬琴%李天真%张立夫
盧普生%李雪%範忠%呂鼕琴%李天真%張立伕
로보생%리설%범충%려동금%리천진%장립부
化学机械研磨%可制造性设计%冗余图形填充
化學機械研磨%可製造性設計%冗餘圖形填充
화학궤계연마%가제조성설계%용여도형전충
化学机械研磨(CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺,研磨后铜的厚度和表面形貌对65纳米以下的工艺显得越来越重要,厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响,所以必须在设计时就进行慎重的考虑.众所周知,插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法,通常基于规则的方法广泛用于65纳米及以上工艺中,但是该技术在比较先进制程中显示不出其优越性.本文阐述了一种基于模型的冗余金属填充方法,它是根据设计版图中的周围环境用计算机算法来填充.这一方法的优点有以下几方面:在设计规则检查(DRC)中更少的违规数量,更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量,更小的密度和周长梯度.在使用40纳米工艺的晶圆上,基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当,但是比公开的其它填充方法要好.
化學機械研磨(CMP)被廣汎用于銅鑲嵌工藝,研磨後銅的厚度和錶麵形貌對65納米以下的工藝顯得越來越重要,厚度和形貌的變動會對芯片良率和性能造成噁劣影響,所以必鬚在設計時就進行慎重的攷慮.衆所週知,插入冗餘金屬是提升CMP形貌的一箇好方法,通常基于規則的方法廣汎用于65納米及以上工藝中,但是該技術在比較先進製程中顯示不齣其優越性.本文闡述瞭一種基于模型的冗餘金屬填充方法,它是根據設計版圖中的週圍環境用計算機算法來填充.這一方法的優點有以下幾方麵:在設計規則檢查(DRC)中更少的違規數量,更密集的圖形密度分佈和更少的填充圖案數量,更小的密度和週長梯度.在使用40納米工藝的晶圓上,基于模型方法得到的錶麵平坦度與基于規則的填充方法相噹,但是比公開的其它填充方法要好.
화학궤계연마(CMP)피엄범용우동양감공예,연마후동적후도화표면형모대65납미이하적공예현득월래월중요,후도화형모적변동회대심편량솔화성능조성악렬영향,소이필수재설계시취진행신중적고필.음소주지,삽입용여금속시제승CMP형모적일개호방법,통상기우규칙적방법엄범용우65납미급이상공예중,단시해기술재비교선진제정중현시불출기우월성.본문천술료일충기우모형적용여금속전충방법,타시근거설계판도중적주위배경용계산궤산법래전충.저일방법적우점유이하궤방면:재설계규칙검사(DRC)중경소적위규수량,경밀집적도형밀도분포화경소적전충도안수량,경소적밀도화주장제도.재사용40납미공예적정원상,기우모형방법득도적표면평탄도여기우규칙적전충방법상당,단시비공개적기타전충방법요호.
