耐火材料
耐火材料
내화재료
REFRACTORIES
2005年
4期
249-252
,共4页
吴宏鹏%任颖丽%王林俊%孙加林%洪彦若
吳宏鵬%任穎麗%王林俊%孫加林%洪彥若
오굉붕%임영려%왕림준%손가림%홍언약
氮化硅%碳化硅%复合材料%空气气氛%烧结性能%相组成%显微结构
氮化硅%碳化硅%複閤材料%空氣氣氛%燒結性能%相組成%顯微結構
담화규%탄화규%복합재료%공기기분%소결성능%상조성%현미결구
以氮化硅细粉(粒度<0.088 mm,w(β-Si3N4)>95%)、碳化硅(w(SiC)>98%,粒度分别为2.8~0.9mm、0.9~0.15 mm、<0.115 mm和<0.063 mm四级)、硅粉(粒度<0.045 mm,w(Si)>98%)和硅灰(w(SiO2)=98.3%)为原料,以木质素磺酸钙水溶液作成型结合剂,采用150 MPa的压力成型为65 mm×114 mm×230mm的Si3N4-SiC、Si3N4-SiC-Si和Si3N4-SiC-SiO2三种试样.在空气气氛中,以50℃·h-1的升温速度升至800℃保温4 h,再升至1450℃保温2 h,自然冷却至室温后,测定烧成后试样的常温耐压强度、常温抗折强度、1400℃下的高温抗折强度、显气孔率、体积密度和残氮率,并采用XRD、SEM和EPMA等手段分析烧后试样的相组成和显微结构.结果表明:3种试样在空气气氛中烧成后的高温(1400℃)和常温抗折强度都比较高,显气孔率都比较低,而耐压强度则以Si3N4-SiC试样的最高;烧成后试样中心区域的残氮率以Si3N4-SiC-Si试样的最高,Si3N4-SiC-SiO2试样的次之,Si3N4-SiC试样的最小;在空气气氛中烧成后,Si3N4-SiC试样中的Si3N4分解较多,SiC-Si3 N4-Si试样的表面和内部都明显含有单质Si,SiC-Si3N4-SiO2试样表面区域的Si2N2O晶体发育很好,而内部区域的晶体发育较小.
以氮化硅細粉(粒度<0.088 mm,w(β-Si3N4)>95%)、碳化硅(w(SiC)>98%,粒度分彆為2.8~0.9mm、0.9~0.15 mm、<0.115 mm和<0.063 mm四級)、硅粉(粒度<0.045 mm,w(Si)>98%)和硅灰(w(SiO2)=98.3%)為原料,以木質素磺痠鈣水溶液作成型結閤劑,採用150 MPa的壓力成型為65 mm×114 mm×230mm的Si3N4-SiC、Si3N4-SiC-Si和Si3N4-SiC-SiO2三種試樣.在空氣氣氛中,以50℃·h-1的升溫速度升至800℃保溫4 h,再升至1450℃保溫2 h,自然冷卻至室溫後,測定燒成後試樣的常溫耐壓彊度、常溫抗摺彊度、1400℃下的高溫抗摺彊度、顯氣孔率、體積密度和殘氮率,併採用XRD、SEM和EPMA等手段分析燒後試樣的相組成和顯微結構.結果錶明:3種試樣在空氣氣氛中燒成後的高溫(1400℃)和常溫抗摺彊度都比較高,顯氣孔率都比較低,而耐壓彊度則以Si3N4-SiC試樣的最高;燒成後試樣中心區域的殘氮率以Si3N4-SiC-Si試樣的最高,Si3N4-SiC-SiO2試樣的次之,Si3N4-SiC試樣的最小;在空氣氣氛中燒成後,Si3N4-SiC試樣中的Si3N4分解較多,SiC-Si3 N4-Si試樣的錶麵和內部都明顯含有單質Si,SiC-Si3N4-SiO2試樣錶麵區域的Si2N2O晶體髮育很好,而內部區域的晶體髮育較小.
이담화규세분(립도<0.088 mm,w(β-Si3N4)>95%)、탄화규(w(SiC)>98%,립도분별위2.8~0.9mm、0.9~0.15 mm、<0.115 mm화<0.063 mm사급)、규분(립도<0.045 mm,w(Si)>98%)화규회(w(SiO2)=98.3%)위원료,이목질소광산개수용액작성형결합제,채용150 MPa적압력성형위65 mm×114 mm×230mm적Si3N4-SiC、Si3N4-SiC-Si화Si3N4-SiC-SiO2삼충시양.재공기기분중,이50℃·h-1적승온속도승지800℃보온4 h,재승지1450℃보온2 h,자연냉각지실온후,측정소성후시양적상온내압강도、상온항절강도、1400℃하적고온항절강도、현기공솔、체적밀도화잔담솔,병채용XRD、SEM화EPMA등수단분석소후시양적상조성화현미결구.결과표명:3충시양재공기기분중소성후적고온(1400℃)화상온항절강도도비교고,현기공솔도비교저,이내압강도칙이Si3N4-SiC시양적최고;소성후시양중심구역적잔담솔이Si3N4-SiC-Si시양적최고,Si3N4-SiC-SiO2시양적차지,Si3N4-SiC시양적최소;재공기기분중소성후,Si3N4-SiC시양중적Si3N4분해교다,SiC-Si3 N4-Si시양적표면화내부도명현함유단질Si,SiC-Si3N4-SiO2시양표면구역적Si2N2O정체발육흔호,이내부구역적정체발육교소.