物理学报
物理學報
물이학보
2005年
8期
3884-3888
,共5页
王彦刚%许铭真%谭长华%段小蓉
王彥剛%許銘真%譚長華%段小蓉
왕언강%허명진%담장화%단소용
软击穿%栅电流%类Fowler-Nordheim隧穿%超薄栅氧化层
軟擊穿%柵電流%類Fowler-Nordheim隧穿%超薄柵氧化層
연격천%책전류%류Fowler-Nordheim수천%초박책양화층
研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(n-MOSFET)软击穿后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内,软击穿后的栅电流Ig符合Fowler-Nordheim隧穿公式,但室温下隧穿势垒φb的平均值仅为0.936 eV,远小于Si/SiO2界面的势垒高度3.15 eV.研究表明,软击穿后,处于Si/SiO2界面量子化能级上的电,子不隧穿到氧化层的导带,而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.φb与缺陷带能级和电子所处的量子能级相关;高温下,激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致φb逐渐降低.
研究瞭恆壓應力下超薄柵氧化層n型金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(n-MOSFET)軟擊穿後的導電機製.髮現在一定的柵電壓Vg範圍內,軟擊穿後的柵電流Ig符閤Fowler-Nordheim隧穿公式,但室溫下隧穿勢壘φb的平均值僅為0.936 eV,遠小于Si/SiO2界麵的勢壘高度3.15 eV.研究錶明,軟擊穿後,處于Si/SiO2界麵量子化能級上的電,子不隧穿到氧化層的導帶,而是隧穿到氧化層內的缺陷帶上.φb與缺陷帶能級和電子所處的量子能級相關;高溫下,激髮態電子對隧穿電流貢獻的增大導緻φb逐漸降低.
연구료항압응력하초박책양화층n형금속-양화물-반도체장효응정체관(n-MOSFET)연격천후적도전궤제.발현재일정적책전압Vg범위내,연격천후적책전류Ig부합Fowler-Nordheim수천공식,단실온하수천세루φb적평균치부위0.936 eV,원소우Si/SiO2계면적세루고도3.15 eV.연구표명,연격천후,처우Si/SiO2계면양자화능급상적전,자불수천도양화층적도대,이시수천도양화층내적결함대상.φb여결함대능급화전자소처적양자능급상관;고온하,격발태전자대수천전류공헌적증대도치φb축점강저.
