物理学报
物理學報
물이학보
2005年
7期
3351-3356
,共6页
曾中明%韩秀峰%杜关祥%詹文山%王勇%张泽
曾中明%韓秀峰%杜關祥%詹文山%王勇%張澤
증중명%한수봉%두관상%첨문산%왕용%장택
双势垒磁性隧道结%隧穿磁电阻%共振隧穿效应%自旋晶体管
雙勢壘磁性隧道結%隧穿磁電阻%共振隧穿效應%自鏇晶體管
쌍세루자성수도결%수천자전조%공진수천효응%자선정체관
利用磁控溅射方法沉积双势垒磁性隧道结多层膜,其中Al-O势垒层由等离子体氧化1nm厚的金属铝膜方式制备,然后采用深紫外光曝光和Ar离子刻蚀技术、微加工制备出长短轴分别为6和3 μm大小的椭圆形双势垒磁性隧道结(DBMTJ),并在室温和低温下对其自旋电子输运特性进行了研究.DBMTJ的隧穿磁电阻(TMR)比值在室温和4.2 K分别达到27%和42.3%,结电阻分别为13.6 kΩ·μm2和17.5 kΩ·μm2,并在实验中观察到平行状态下存在低电阻态及共振隧穿效应,反平行态下呈现高电阻态以及TMR随外加偏压或直流电流的增加而发生振荡现象.由此,设计了一种基于这种双势垒磁性隧道结隧穿特性的自旋晶体管.
利用磁控濺射方法沉積雙勢壘磁性隧道結多層膜,其中Al-O勢壘層由等離子體氧化1nm厚的金屬鋁膜方式製備,然後採用深紫外光曝光和Ar離子刻蝕技術、微加工製備齣長短軸分彆為6和3 μm大小的橢圓形雙勢壘磁性隧道結(DBMTJ),併在室溫和低溫下對其自鏇電子輸運特性進行瞭研究.DBMTJ的隧穿磁電阻(TMR)比值在室溫和4.2 K分彆達到27%和42.3%,結電阻分彆為13.6 kΩ·μm2和17.5 kΩ·μm2,併在實驗中觀察到平行狀態下存在低電阻態及共振隧穿效應,反平行態下呈現高電阻態以及TMR隨外加偏壓或直流電流的增加而髮生振盪現象.由此,設計瞭一種基于這種雙勢壘磁性隧道結隧穿特性的自鏇晶體管.
이용자공천사방법침적쌍세루자성수도결다층막,기중Al-O세루층유등리자체양화1nm후적금속려막방식제비,연후채용심자외광폭광화Ar리자각식기술、미가공제비출장단축분별위6화3 μm대소적타원형쌍세루자성수도결(DBMTJ),병재실온화저온하대기자선전자수운특성진행료연구.DBMTJ적수천자전조(TMR)비치재실온화4.2 K분별체도27%화42.3%,결전조분별위13.6 kΩ·μm2화17.5 kΩ·μm2,병재실험중관찰도평행상태하존재저전조태급공진수천효응,반평행태하정현고전조태이급TMR수외가편압혹직류전류적증가이발생진탕현상.유차,설계료일충기우저충쌍세루자성수도결수천특성적자선정체관.
