物理
物理
물리
2005年
12期
887-888
,共2页
常昊%杨莉%王丽君%吴健%段文晖
常昊%楊莉%王麗君%吳健%段文暉
상호%양리%왕려군%오건%단문휘
文章报道了最近对氢吸附导致β-SiC(001)-32表面金属化的研究结果.提出了β-SiC(001)-32表面金属化的一种新机制:通过形成氢桥键(Si-H-Si 复合结构)形成表面n型掺杂.该复合结构通过氢桥键增强了沟槽底部的弱结合的Si-Si二聚体,并向体系的导带提供电子.
文章報道瞭最近對氫吸附導緻β-SiC(001)-32錶麵金屬化的研究結果.提齣瞭β-SiC(001)-32錶麵金屬化的一種新機製:通過形成氫橋鍵(Si-H-Si 複閤結構)形成錶麵n型摻雜.該複閤結構通過氫橋鍵增彊瞭溝槽底部的弱結閤的Si-Si二聚體,併嚮體繫的導帶提供電子.
문장보도료최근대경흡부도치β-SiC(001)-32표면금속화적연구결과.제출료β-SiC(001)-32표면금속화적일충신궤제:통과형성경교건(Si-H-Si 복합결구)형성표면n형참잡.해복합결구통과경교건증강료구조저부적약결합적Si-Si이취체,병향체계적도대제공전자.
