半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
2期
373-376
,共4页
池毓宋%黄风义%吴忠洁%张少勇%孔晓明%王志功
池毓宋%黃風義%吳忠潔%張少勇%孔曉明%王誌功
지육송%황풍의%오충길%장소용%공효명%왕지공
CMOS%射频%小信号模型%参数提取
CMOS%射頻%小信號模型%參數提取
CMOS%사빈%소신호모형%삼수제취
采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
採用0.13μm CMOS射頻和混閤信號工藝進行瞭射頻nMOS場效應晶體管版圖的優化設計和芯片製作.對製作的射頻nMOS器件進行瞭直流特性和S參數測試,測試結果錶明射頻nMOS管的特徵頻率fT達到瞭93GHz,fmax超過瞭90GHz.採用小信號等效電路模型對該nMOS管的交流特性進行瞭模擬.在100MHz到30GHz頻率範圍內得到瞭與測試結果相吻閤的倣真結果.
채용0.13μm CMOS사빈화혼합신호공예진행료사빈nMOS장효응정체관판도적우화설계화심편제작.대제작적사빈nMOS기건진행료직류특성화S삼수측시,측시결과표명사빈nMOS관적특정빈솔fT체도료93GHz,fmax초과료90GHz.채용소신호등효전로모형대해nMOS관적교류특성진행료모의.재100MHz도30GHz빈솔범위내득도료여측시결과상문합적방진결과.
