半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
5期
534-538
,共5页
赵本刚%刘玉菲%徐静%高翔%吴亚明
趙本剛%劉玉菲%徐靜%高翔%吳亞明
조본강%류옥비%서정%고상%오아명
微电子机械系统%光学电流传感器%扭转微镜%双光纤准直器%滤波%温度补偿
微電子機械繫統%光學電流傳感器%扭轉微鏡%雙光纖準直器%濾波%溫度補償
미전자궤계계통%광학전류전감기%뉴전미경%쌍광섬준직기%려파%온도보상
提出了一种用于检测50 Hz高压交流电的新型MEMS光学电流传感器.详细介绍了器件的敏感与光学检测原理,给出了器件结构、温度补偿、滤波和工艺的设计过程,并模拟分析了器件在交流电100～3 600 A下的性能.结果表明:滤波后可得到稳定的测量光信号;温度变化±50 K时相应的测试误差为0.2%;器件在大电流下的灵敏度优于0.02 dB/A.
提齣瞭一種用于檢測50 Hz高壓交流電的新型MEMS光學電流傳感器.詳細介紹瞭器件的敏感與光學檢測原理,給齣瞭器件結構、溫度補償、濾波和工藝的設計過程,併模擬分析瞭器件在交流電100～3 600 A下的性能.結果錶明:濾波後可得到穩定的測量光信號;溫度變化±50 K時相應的測試誤差為0.2%;器件在大電流下的靈敏度優于0.02 dB/A.
제출료일충용우검측50 Hz고압교류전적신형MEMS광학전류전감기.상세개소료기건적민감여광학검측원리,급출료기건결구、온도보상、려파화공예적설계과정,병모의분석료기건재교류전100～3 600 A하적성능.결과표명:려파후가득도은정적측량광신호;온도변화±50 K시상응적측시오차위0.2%;기건재대전류하적령민도우우0.02 dB/A.
