CAJ | 학술논문

采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,以不同的反应气体总流量制备出沉积速率大于1nm/s、次带吸收系数(α0.8eV)小于2.5cm-1且具有相同晶化率的本征微晶硅薄膜,然而将其应用在微晶硅电池中时,电池性能却有明显差异.通过对微晶硅电池的光、暗态J-V,量子效率(QE)和微区拉曼(Raman)测试发现,微晶硅薄膜中非晶孵化层厚度的不同是引起电池性能差异的主要原因.反应气体总流量较低时沉积的微晶硅薄膜具有较厚的非晶孵化层,阻碍了载流子的输运,使电池的长波光谱响应下降,从而降低了电池的短路电流密度与填充因子;而增加总气体流量,有效减小了微晶硅薄膜中的非晶孵化层的厚度,从而使电池性能得到改善.最后在总气体流量为500sccm时,制备得到沉积速率为1nm/s,效率为7.3%的单结微晶硅太阳电池.
채용고압고공솔적심고빈등리자체증강화학기상침적(VHF-PECVD)기술,이불동적반응기체총류량제비출침적속솔대우1nm/s、차대흡수계수(α0.8eV)소우2.5cm-1차구유상동정화솔적본정미정규박막,연이장기응용재미정규전지중시,전지성능각유명현차이.통과대미정규전지적광、암태J-V,양자효솔(QE)화미구랍만(Raman)측시발현,미정규박막중비정부화층후도적불동시인기전지성능차이적주요원인.반응기체총류량교저시침적적미정규박막구유교후적비정부화층,조애료재류자적수운,사전지적장파광보향응하강,종이강저료전지적단로전류밀도여전충인자;이증가총기체류량,유효감소료미정규박막중적비정부화층적후도,종이사전지성능득도개선.최후재총기체류량위500sccm시,제비득도침적속솔위1nm/s,효솔위7.3%적단결미정규태양전지.