电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2009年
2期
20-22
,共3页
无机非金属材料%LiMn2O4%晶格畸变%红移%蓝移%尖晶石
無機非金屬材料%LiMn2O4%晶格畸變%紅移%藍移%尖晶石
무궤비금속재료%LiMn2O4%정격기변%홍이%람이%첨정석
采用室温固相法,用Mg或Cd掺杂制备了LiMn2O4前驱体,经分步煅烧获得晶型良好的尖晶石型LiM0.2Mn1.8O4 (M = Mg,Cd).结果表明,不同元素掺杂会导致LiMn2O4产生不同程度的晶格畸变.Mg掺杂引起晶格收缩,并导致Mn(Ⅳ) - O和Mn(Ⅲ) - O键能强度增加,对应的红外吸收峰波数增加17.59和2.16 cm-1而发生蓝移;Cd掺杂引起晶格膨胀及Mn(Ⅳ) - O和Mn(Ⅲ) - O键能强度降低,对应的红外吸收峰波数均减少2.13 cm-1而发生红移.
採用室溫固相法,用Mg或Cd摻雜製備瞭LiMn2O4前驅體,經分步煅燒穫得晶型良好的尖晶石型LiM0.2Mn1.8O4 (M = Mg,Cd).結果錶明,不同元素摻雜會導緻LiMn2O4產生不同程度的晶格畸變.Mg摻雜引起晶格收縮,併導緻Mn(Ⅳ) - O和Mn(Ⅲ) - O鍵能彊度增加,對應的紅外吸收峰波數增加17.59和2.16 cm-1而髮生藍移;Cd摻雜引起晶格膨脹及Mn(Ⅳ) - O和Mn(Ⅲ) - O鍵能彊度降低,對應的紅外吸收峰波數均減少2.13 cm-1而髮生紅移.
채용실온고상법,용Mg혹Cd참잡제비료LiMn2O4전구체,경분보단소획득정형량호적첨정석형LiM0.2Mn1.8O4 (M = Mg,Cd).결과표명,불동원소참잡회도치LiMn2O4산생불동정도적정격기변.Mg참잡인기정격수축,병도치Mn(Ⅳ) - O화Mn(Ⅲ) - O건능강도증가,대응적홍외흡수봉파수증가17.59화2.16 cm-1이발생람이;Cd참잡인기정격팽창급Mn(Ⅳ) - O화Mn(Ⅲ) - O건능강도강저,대응적홍외흡수봉파수균감소2.13 cm-1이발생홍이.
