半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
9期
927-929
,共3页
毫米波%相位噪声%取样锁相%介质压控振荡器%本振源
毫米波%相位譟聲%取樣鎖相%介質壓控振盪器%本振源
호미파%상위조성%취양쇄상%개질압공진탕기%본진원
介绍了一种毫米波低相噪源的设计方法,采用PDRO和倍频电路方案,对本微波源的相位噪声和频率稳定度进行了分析,并简要介绍了PDRO的设计,对研制成的实物进行了测试,达到了设计要求的指标.该毫米波源的相位噪声≤-95 dBc/Hz@10 kHz,频率稳定度△fout/fout≤1×10-8,杂波抑制比r8≤-75 dBc.该毫米波源具有相位噪声低、体积小、Q值高、频率温度稳定性好等优点,具有广阔的应用前景.
介紹瞭一種毫米波低相譟源的設計方法,採用PDRO和倍頻電路方案,對本微波源的相位譟聲和頻率穩定度進行瞭分析,併簡要介紹瞭PDRO的設計,對研製成的實物進行瞭測試,達到瞭設計要求的指標.該毫米波源的相位譟聲≤-95 dBc/Hz@10 kHz,頻率穩定度△fout/fout≤1×10-8,雜波抑製比r8≤-75 dBc.該毫米波源具有相位譟聲低、體積小、Q值高、頻率溫度穩定性好等優點,具有廣闊的應用前景.
개소료일충호미파저상조원적설계방법,채용PDRO화배빈전로방안,대본미파원적상위조성화빈솔은정도진행료분석,병간요개소료PDRO적설계,대연제성적실물진행료측시,체도료설계요구적지표.해호미파원적상위조성≤-95 dBc/Hz@10 kHz,빈솔은정도△fout/fout≤1×10-8,잡파억제비r8≤-75 dBc.해호미파원구유상위조성저、체적소、Q치고、빈솔온도은정성호등우점,구유엄활적응용전경.
