真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2010年
1期
1-5
,共5页
盖志刚%罗崇泰%陈焘%张平
蓋誌剛%囉崇泰%陳燾%張平
개지강%라숭태%진도%장평
SiC材料%理论模拟%研究现状%发展趋势
SiC材料%理論模擬%研究現狀%髮展趨勢
SiC재료%이론모의%연구현상%발전추세
SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料的理论研究现状和发展趋势,并对研究方法和结果进行了简要的评述.
SiC因其寬的禁帶寬度、高的電子飽和速度、大的臨界擊穿場彊、高的熱導率和熱穩定性等特性而成為製作高頻、大功率和耐高溫器件的理想材料.綜述瞭SiC材料的理論研究現狀和髮展趨勢,併對研究方法和結果進行瞭簡要的評述.
SiC인기관적금대관도、고적전자포화속도、대적림계격천장강、고적열도솔화열은정성등특성이성위제작고빈、대공솔화내고온기건적이상재료.종술료SiC재료적이론연구현상화발전추세,병대연구방법화결과진행료간요적평술.
