光学精密工程
光學精密工程
광학정밀공정
OPTICS AND PRECISION ENGINEERING
2012年
1期
58-63
,共6页
张健%林广平%张睿%崔国宇%李传南
張健%林廣平%張睿%崔國宇%李傳南
장건%림엄평%장예%최국우%리전남
多晶硅薄膜%准分子激光%相位掩模
多晶硅薄膜%準分子激光%相位掩模
다정규박막%준분자격광%상위엄모
为扩大晶粒尺寸并降低晶粒间界缺陷对多晶硅薄膜晶体管的不良影响,采用准分子激光相位掩模法制备了大晶粒尺寸的多晶硅薄膜.首先,在无相位掩模时利用不同能量密度的准分子激光晶化非晶硅薄膜,通过扫描电镜观测晶粒尺寸确定超级横向生长的能量窗口；然后,在该能量密度下采用周期为1 073 nm的相位掩模板对入射光束进行相位调制,在样品表面形成人工可控的横向温度梯度,使非晶硅熔化并横向生长结晶为多晶硅；最后,对薄膜特性进行测量,并与非晶硅薄膜和超级横向生长制备的多晶硅薄膜进行比较.结果表明:本文方法制作的薄膜的平均晶粒尺寸提高了一个数量级,达到了228.24 nm;薄膜电阻率降低一个数量级,为18.9 Ω.m;且晶粒分布规则有序.该方法能有效提高多晶硅薄膜的电学特性,适用于高质量多晶硅薄膜器件的制作.
為擴大晶粒呎吋併降低晶粒間界缺陷對多晶硅薄膜晶體管的不良影響,採用準分子激光相位掩模法製備瞭大晶粒呎吋的多晶硅薄膜.首先,在無相位掩模時利用不同能量密度的準分子激光晶化非晶硅薄膜,通過掃描電鏡觀測晶粒呎吋確定超級橫嚮生長的能量窗口；然後,在該能量密度下採用週期為1 073 nm的相位掩模闆對入射光束進行相位調製,在樣品錶麵形成人工可控的橫嚮溫度梯度,使非晶硅鎔化併橫嚮生長結晶為多晶硅；最後,對薄膜特性進行測量,併與非晶硅薄膜和超級橫嚮生長製備的多晶硅薄膜進行比較.結果錶明:本文方法製作的薄膜的平均晶粒呎吋提高瞭一箇數量級,達到瞭228.24 nm;薄膜電阻率降低一箇數量級,為18.9 Ω.m;且晶粒分佈規則有序.該方法能有效提高多晶硅薄膜的電學特性,適用于高質量多晶硅薄膜器件的製作.
위확대정립척촌병강저정립간계결함대다정규박막정체관적불량영향,채용준분자격광상위엄모법제비료대정립척촌적다정규박막.수선,재무상위엄모시이용불동능량밀도적준분자격광정화비정규박막,통과소묘전경관측정립척촌학정초급횡향생장적능량창구；연후,재해능량밀도하채용주기위1 073 nm적상위엄모판대입사광속진행상위조제,재양품표면형성인공가공적횡향온도제도,사비정규용화병횡향생장결정위다정규；최후,대박막특성진행측량,병여비정규박막화초급횡향생장제비적다정규박막진행비교.결과표명:본문방법제작적박막적평균정립척촌제고료일개수량급,체도료228.24 nm;박막전조솔강저일개수량급,위18.9 Ω.m;차정립분포규칙유서.해방법능유효제고다정규박막적전학특성,괄용우고질량다정규박막기건적제작.
