液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2012年
3期
303-307
,共5页
镍硅化物%金属诱导横向晶化%多晶硅薄膜晶体管
鎳硅化物%金屬誘導橫嚮晶化%多晶硅薄膜晶體管
얼규화물%금속유도횡향정화%다정규박막정체관
提出一种新的采用镍硅化物作为种子诱导横向晶化制备低温多晶硅薄膜晶体管的方法.分别采用微区Raman、原子力显微镜和俄歇电子能谱对制备的多晶硅薄膜进行结构和性能表征,并以此多晶硅薄膜为有源层制备了薄膜晶体管,测试其I-V转移特性.测试结果显示,制备的多晶硅薄膜具有较低的金属污染和较大的晶粒尺寸,且制备的多晶硅薄膜晶体管具有良好的电学特性,可以有效地减小漏电流,同时可提高场效应载流子迁移率.这主要是由于多晶硅沟道区中镍含量的有效降低使得俘获态密度减少.
提齣一種新的採用鎳硅化物作為種子誘導橫嚮晶化製備低溫多晶硅薄膜晶體管的方法.分彆採用微區Raman、原子力顯微鏡和俄歇電子能譜對製備的多晶硅薄膜進行結構和性能錶徵,併以此多晶硅薄膜為有源層製備瞭薄膜晶體管,測試其I-V轉移特性.測試結果顯示,製備的多晶硅薄膜具有較低的金屬汙染和較大的晶粒呎吋,且製備的多晶硅薄膜晶體管具有良好的電學特性,可以有效地減小漏電流,同時可提高場效應載流子遷移率.這主要是由于多晶硅溝道區中鎳含量的有效降低使得俘穫態密度減少.
제출일충신적채용얼규화물작위충자유도횡향정화제비저온다정규박막정체관적방법.분별채용미구Raman、원자력현미경화아헐전자능보대제비적다정규박막진행결구화성능표정,병이차다정규박막위유원층제비료박막정체관,측시기I-V전이특성.측시결과현시,제비적다정규박막구유교저적금속오염화교대적정립척촌,차제비적다정규박막정체관구유량호적전학특성,가이유효지감소루전류,동시가제고장효응재류자천이솔.저주요시유우다정규구도구중얼함량적유효강저사득부획태밀도감소.
