稀有金属
稀有金屬
희유금속
CHINESE JOURNAL OF RARE METALS
2004年
3期
540-543
,共4页
徐岳生%付生辉%刘彩池%王海云%魏欣%郝景臣
徐嶽生%付生輝%劉綵池%王海雲%魏訢%郝景臣
서악생%부생휘%류채지%왕해운%위흔%학경신
LEC SI-GaAs%AB-EPD%跨导%衬底%位错%PLmapping%临界值
LEC SI-GaAs%AB-EPD%跨導%襯底%位錯%PLmapping%臨界值
LEC SI-GaAs%AB-EPD%과도%츤저%위착%PLmapping%림계치
用AB腐蚀液对SI-GaAs晶片进行AB微缺陷显示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量级) ,用KOH腐蚀液显示位错(位错密度EPD: 104 cm-2量级),发现衬底上的位错对器件跨导没有明显的影响,而用AB腐蚀液显示的AB微缺陷对器件性能及均匀性有明确的影响: 低AB-EPD的片子跨导大; 高AB-EPD的片子跨导小.AB-EPD有一临界值,当AB-EPD高于此值时,跨导陡然下降.另外,还利用扫描光致发光光谱(PL mapping) 对衬底进行了测量,得出了与上述结果相符的结果.
用AB腐蝕液對SI-GaAs晶片進行AB微缺陷顯示 (AB微缺陷密度AB-EPD: 103～104 cm-2量級) ,用KOH腐蝕液顯示位錯(位錯密度EPD: 104 cm-2量級),髮現襯底上的位錯對器件跨導沒有明顯的影響,而用AB腐蝕液顯示的AB微缺陷對器件性能及均勻性有明確的影響: 低AB-EPD的片子跨導大; 高AB-EPD的片子跨導小.AB-EPD有一臨界值,噹AB-EPD高于此值時,跨導陡然下降.另外,還利用掃描光緻髮光光譜(PL mapping) 對襯底進行瞭測量,得齣瞭與上述結果相符的結果.
용AB부식액대SI-GaAs정편진행AB미결함현시 (AB미결함밀도AB-EPD: 103～104 cm-2량급) ,용KOH부식액현시위착(위착밀도EPD: 104 cm-2량급),발현츤저상적위착대기건과도몰유명현적영향,이용AB부식액현시적AB미결함대기건성능급균균성유명학적영향: 저AB-EPD적편자과도대; 고AB-EPD적편자과도소.AB-EPD유일림계치,당AB-EPD고우차치시,과도두연하강.령외,환이용소묘광치발광광보(PL mapping) 대츤저진행료측량,득출료여상술결과상부적결과.
