低温物理学报
低溫物理學報
저온물이학보
CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS
2005年
z1期
390-397
,共8页
黄胜利%阮可青%吕章明%曹烈兆
黃勝利%阮可青%呂章明%曹烈兆
황성리%원가청%려장명%조렬조
晶体结构%变程跃迁%呼吸模
晶體結構%變程躍遷%呼吸模
정체결구%변정약천%호흡모
采用固态反应法制备了一系列BaBi1-xPbxO3(x: 0~1)多晶并测定了其晶体结构和相应的物理性质.粉末法测得的X射线衍射所得的晶体结构与粉末中子衍射结果[1~2]一致,晶体经历了从单斜晶系(0≤x<0.1)、到正交晶系(0.1≤x< 0.65)、再到四方晶系(0.65≤x< 0.9)、最后到正交晶系(0.9≤x≤1.0)的转变.发现随着四价阳离子铅对铋的掺杂替代导致晶胞参数在半导体区域减小,而在超导区域振动变化,这归结于Bi3+和Bi5+被Pb4+的取代和呼吸模型Bi(Bb)O6的作用,从而证明了Bi两种价态的存在.电阻率的测量结果表明样品的电性与晶体结构和生长环境紧密相关,但氧缺陷不是主要因素.最佳掺杂区在x= 0.75,其超导临界温度约为9K.掺杂区0≤x≤0.3的样品既可用本征半导体解释,也可用3D变程跃迁解释.在半导体区用3D变程跳跃解释时,lnρ~T-1/4的斜率连续减小,说明掺杂改变了态密度或定域化长度.样品的金属-半导体转变可用交叠能带解释.拉曼光谱的测量结果表明改变入射激光的频率并不影响各拉曼峰的强度.随Pb的掺杂,BiO6八面体的呼吸模数逐渐减少,同时晶体的无序程度增强.超导温度与Bi(Bb)O6模的形变势的强弱无关,但受其频移的影响.
採用固態反應法製備瞭一繫列BaBi1-xPbxO3(x: 0~1)多晶併測定瞭其晶體結構和相應的物理性質.粉末法測得的X射線衍射所得的晶體結構與粉末中子衍射結果[1~2]一緻,晶體經歷瞭從單斜晶繫(0≤x<0.1)、到正交晶繫(0.1≤x< 0.65)、再到四方晶繫(0.65≤x< 0.9)、最後到正交晶繫(0.9≤x≤1.0)的轉變.髮現隨著四價暘離子鉛對鉍的摻雜替代導緻晶胞參數在半導體區域減小,而在超導區域振動變化,這歸結于Bi3+和Bi5+被Pb4+的取代和呼吸模型Bi(Bb)O6的作用,從而證明瞭Bi兩種價態的存在.電阻率的測量結果錶明樣品的電性與晶體結構和生長環境緊密相關,但氧缺陷不是主要因素.最佳摻雜區在x= 0.75,其超導臨界溫度約為9K.摻雜區0≤x≤0.3的樣品既可用本徵半導體解釋,也可用3D變程躍遷解釋.在半導體區用3D變程跳躍解釋時,lnρ~T-1/4的斜率連續減小,說明摻雜改變瞭態密度或定域化長度.樣品的金屬-半導體轉變可用交疊能帶解釋.拉曼光譜的測量結果錶明改變入射激光的頻率併不影響各拉曼峰的彊度.隨Pb的摻雜,BiO6八麵體的呼吸模數逐漸減少,同時晶體的無序程度增彊.超導溫度與Bi(Bb)O6模的形變勢的彊弱無關,但受其頻移的影響.
채용고태반응법제비료일계렬BaBi1-xPbxO3(x: 0~1)다정병측정료기정체결구화상응적물이성질.분말법측득적X사선연사소득적정체결구여분말중자연사결과[1~2]일치,정체경력료종단사정계(0≤x<0.1)、도정교정계(0.1≤x< 0.65)、재도사방정계(0.65≤x< 0.9)、최후도정교정계(0.9≤x≤1.0)적전변.발현수착사개양리자연대필적참잡체대도치정포삼수재반도체구역감소,이재초도구역진동변화,저귀결우Bi3+화Bi5+피Pb4+적취대화호흡모형Bi(Bb)O6적작용,종이증명료Bi량충개태적존재.전조솔적측량결과표명양품적전성여정체결구화생장배경긴밀상관,단양결함불시주요인소.최가참잡구재x= 0.75,기초도림계온도약위9K.참잡구0≤x≤0.3적양품기가용본정반도체해석,야가용3D변정약천해석.재반도체구용3D변정도약해석시,lnρ~T-1/4적사솔련속감소,설명참잡개변료태밀도혹정역화장도.양품적금속-반도체전변가용교첩능대해석.랍만광보적측량결과표명개변입사격광적빈솔병불영향각랍만봉적강도.수Pb적참잡,BiO6팔면체적호흡모수축점감소,동시정체적무서정도증강.초도온도여Bi(Bb)O6모적형변세적강약무관,단수기빈이적영향.