半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
10期
1851-1856
,共6页
李亚捷%吴重庆%王拥军%李赟%季江辉
李亞捷%吳重慶%王擁軍%李赟%季江輝
리아첩%오중경%왕옹군%리빈%계강휘
半导体光放大器%干涉仪%交差相位调制%交叉增益调制%线宽增强因子%不协调性
半導體光放大器%榦涉儀%交差相位調製%交扠增益調製%線寬增彊因子%不協調性
반도체광방대기%간섭의%교차상위조제%교차증익조제%선관증강인자%불협조성
分析了SOA线宽增强因子α及交叉增益调制对干涉仪输出功率的影响,指出在SOA中由于交叉增益调制和交叉相位调制并存,干涉仪的两臂输出不能同时达到极大和极小值,存在一定的不协调性;干涉仪最佳工作点不是唯一的,而是存在一个和α一一对应的工作区间.文中对干涉仪的不协调程度、工作区间及消光比进行了详细分析,发现随着α的增加,干涉仪的不协调程度降低、工作区间范围缩小且干涉消光比提高;在和α对应的同一工作区间内,消光比随工作点的后移呈增加趋势.实验结果进一步证明了理论分析的正确性.
分析瞭SOA線寬增彊因子α及交扠增益調製對榦涉儀輸齣功率的影響,指齣在SOA中由于交扠增益調製和交扠相位調製併存,榦涉儀的兩臂輸齣不能同時達到極大和極小值,存在一定的不協調性;榦涉儀最佳工作點不是唯一的,而是存在一箇和α一一對應的工作區間.文中對榦涉儀的不協調程度、工作區間及消光比進行瞭詳細分析,髮現隨著α的增加,榦涉儀的不協調程度降低、工作區間範圍縮小且榦涉消光比提高;在和α對應的同一工作區間內,消光比隨工作點的後移呈增加趨勢.實驗結果進一步證明瞭理論分析的正確性.
분석료SOA선관증강인자α급교차증익조제대간섭의수출공솔적영향,지출재SOA중유우교차증익조제화교차상위조제병존,간섭의적량비수출불능동시체도겁대화겁소치,존재일정적불협조성;간섭의최가공작점불시유일적,이시존재일개화α일일대응적공작구간.문중대간섭의적불협조정도、공작구간급소광비진행료상세분석,발현수착α적증가,간섭의적불협조정도강저、공작구간범위축소차간섭소광비제고;재화α대응적동일공작구간내,소광비수공작점적후이정증가추세.실험결과진일보증명료이론분석적정학성.
