无机材料学报
無機材料學報
무궤재료학보
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS
2008年
2期
357-360
,共4页
方泽波%谭永胜%朱燕艳%陈圣%蒋最敏
方澤波%譚永勝%硃燕豔%陳聖%蔣最敏
방택파%담영성%주연염%진골%장최민
高k栅介质%Er2O3薄膜%反应蒸发
高k柵介質%Er2O3薄膜%反應蒸髮
고k책개질%Er2O3박막%반응증발
采用高真空反应蒸发法在未加热的P型Si(100)衬底上实现了非晶Er2O3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比. X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜足非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er2O3薄膜获得了平整的表面.电容.电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10-4A/cm2.这些特征表明非晶Er2O3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.
採用高真空反應蒸髮法在未加熱的P型Si(100)襯底上實現瞭非晶Er2O3高k柵介質薄膜的生長.俄歇電子能譜證實薄膜組分符閤化學劑量比. X射線衍射、反射式高能電子衍射和高分辨透射電子顯微鏡測量錶明,不但原位沉積的薄膜足非晶結構,而且高真空700℃退火30min後樣品仍保持瞭良好的非晶穩定性.原子力顯微鏡檢測顯示高真空退火有利于改善薄膜的錶麵形貌.退火後,Er2O3薄膜穫得瞭平整的錶麵.電容.電壓測試得到薄膜的有效介電常數為12.6,EOT為1.4nm,在1MV/cm時漏電流密度為8×10-4A/cm2.這些特徵錶明非晶Er2O3薄膜是一種較好的高k柵介質候選材料.
채용고진공반응증발법재미가열적P형Si(100)츤저상실현료비정Er2O3고k책개질박막적생장.아헐전자능보증실박막조분부합화학제량비. X사선연사、반사식고능전자연사화고분변투사전자현미경측량표명,불단원위침적적박막족비정결구,이차고진공700℃퇴화30min후양품잉보지료량호적비정은정성.원자력현미경검측현시고진공퇴화유리우개선박막적표면형모.퇴화후,Er2O3박막획득료평정적표면.전용.전압측시득도박막적유효개전상수위12.6,EOT위1.4nm,재1MV/cm시루전류밀도위8×10-4A/cm2.저사특정표명비정Er2O3박막시일충교호적고k책개질후선재료.
