固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
4期
611-614
,共4页
发光二极管%谐振腔%分布式布拉格反射镜
髮光二極管%諧振腔%分佈式佈拉格反射鏡
발광이겁관%해진강%분포식포랍격반사경
设计并用MOCVD在GaAs衬底上分别生长了以34对AlAs/Al0.5Ga0.5As材料为下DBR,6对(Al0.3Ga0.7)05In05P/AlInP材料为上DBR.以及有源区为3个GalnP/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P量子阱的外延片.设计了以SiO2做阻挡层,并且深腐蚀过有源区的台形RCLED的工艺结构,利用光刻、腐蚀、等离子化学气相沉淀(PECVD)以及溅射等工艺,成功制备了波长为650 nm的谐振腔发光二极管(RCLED),并对其性能进行了测试.通过与普通LED相比较发现,RCLED不仅具备更强的轴向光强和更高的提取效率,而且具有更窄的光谱线宽、更小的发散角、更好的发射方向性,利于与塑料光纤进行耦合.
設計併用MOCVD在GaAs襯底上分彆生長瞭以34對AlAs/Al0.5Ga0.5As材料為下DBR,6對(Al0.3Ga0.7)05In05P/AlInP材料為上DBR.以及有源區為3箇GalnP/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P量子阱的外延片.設計瞭以SiO2做阻擋層,併且深腐蝕過有源區的檯形RCLED的工藝結構,利用光刻、腐蝕、等離子化學氣相沉澱(PECVD)以及濺射等工藝,成功製備瞭波長為650 nm的諧振腔髮光二極管(RCLED),併對其性能進行瞭測試.通過與普通LED相比較髮現,RCLED不僅具備更彊的軸嚮光彊和更高的提取效率,而且具有更窄的光譜線寬、更小的髮散角、更好的髮射方嚮性,利于與塑料光纖進行耦閤.
설계병용MOCVD재GaAs츤저상분별생장료이34대AlAs/Al0.5Ga0.5As재료위하DBR,6대(Al0.3Ga0.7)05In05P/AlInP재료위상DBR.이급유원구위3개GalnP/(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P양자정적외연편.설계료이SiO2주조당층,병차심부식과유원구적태형RCLED적공예결구,이용광각、부식、등리자화학기상침정(PECVD)이급천사등공예,성공제비료파장위650 nm적해진강발광이겁관(RCLED),병대기성능진행료측시.통과여보통LED상비교발현,RCLED불부구비경강적축향광강화경고적제취효솔,이차구유경착적광보선관、경소적발산각、경호적발사방향성,리우여소료광섬진행우합.
