固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
3期
218-222
,共5页
李赟%孙永强%高汉超%许晓军
李赟%孫永彊%高漢超%許曉軍
리빈%손영강%고한초%허효군
同质外延%碳化硅%均匀性%主氢流量%碳硅比
同質外延%碳化硅%均勻性%主氫流量%碳硅比
동질외연%탄화규%균균성%주경류량%탄규비
源在外延片直径方向上的耗尽导致了外延片上局部各点的生长速率及掺杂浓度是个随位置变化的量,因此造成了外延片厚度及浓度的不均匀性.通过引入基座气浮旋转可以有效降低这种不均匀性,在典型工艺条件下,采用基座旋转,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均匀性、p型掺杂浓度不均匀性和n型掺杂不均匀性分别为0.21%、1.13%和6.96%.基座旋转并不能完全消除外延片n型掺杂浓度不均匀性.优化主氢流量及C/Si比能够改变掺杂源的耗尽曲线,将76.2 mm SiC外延片n型掺浓度不均匀性优化至2.096%(σ/mean).
源在外延片直徑方嚮上的耗儘導緻瞭外延片上跼部各點的生長速率及摻雜濃度是箇隨位置變化的量,因此造成瞭外延片厚度及濃度的不均勻性.通過引入基座氣浮鏇轉可以有效降低這種不均勻性,在典型工藝條件下,採用基座鏇轉,76.2 mm 4H-SiC外延片厚度不均勻性、p型摻雜濃度不均勻性和n型摻雜不均勻性分彆為0.21%、1.13%和6.96%.基座鏇轉併不能完全消除外延片n型摻雜濃度不均勻性.優化主氫流量及C/Si比能夠改變摻雜源的耗儘麯線,將76.2 mm SiC外延片n型摻濃度不均勻性優化至2.096%(σ/mean).
원재외연편직경방향상적모진도치료외연편상국부각점적생장속솔급참잡농도시개수위치변화적량,인차조성료외연편후도급농도적불균균성.통과인입기좌기부선전가이유효강저저충불균균성,재전형공예조건하,채용기좌선전,76.2 mm 4H-SiC외연편후도불균균성、p형참잡농도불균균성화n형참잡불균균성분별위0.21%、1.13%화6.96%.기좌선전병불능완전소제외연편n형참잡농도불균균성.우화주경류량급C/Si비능구개변참잡원적모진곡선,장76.2 mm SiC외연편n형참농도불균균성우화지2.096%(σ/mean).
