功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
4期
443-447
,共5页
陈雷东%曹俊诚%齐鸣%徐安怀%李爱珍
陳雷東%曹俊誠%齊鳴%徐安懷%李愛珍
진뢰동%조준성%제명%서안부%리애진
InGaAs/InP HBT%δ掺杂层%阻挡层%N+高掺杂的复合集电极%I- V输出特性
InGaAs/InP HBT%δ摻雜層%阻擋層%N+高摻雜的複閤集電極%I- V輸齣特性
InGaAs/InP HBT%δ참잡층%조당층%N+고참잡적복합집전겁%I- V수출특성
设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+、n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流、I-V输出特性、电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和.
設計瞭一種新結構的InGaAs/InP雙異質結晶體管(DHBT),其中髮射結採用δ摻雜和阻擋層結構,集電極採用N+摻雜複閤結結構.攷慮隧穿作用和髮射結空間電荷區複閤電流的影響,計算瞭δ摻雜濃度和N+、n-層厚度等參數變化對InGaAs/InP DHBT電流、I-V輸齣特性、電流增益的影響,計算結果錶明,隨著這些參數值增大,InGaAs/InP DHBT輸齣特性逐漸改善.噹δ摻雜濃度大于2×1012cm-3時,電流增益趨于飽和.
설계료일충신결구적InGaAs/InP쌍이질결정체관(DHBT),기중발사결채용δ참잡화조당층결구,집전겁채용N+참잡복합결결구.고필수천작용화발사결공간전하구복합전류적영향,계산료δ참잡농도화N+、n-층후도등삼수변화대InGaAs/InP DHBT전류、I-V수출특성、전류증익적영향,계산결과표명,수착저사삼수치증대,InGaAs/InP DHBT수출특성축점개선.당δ참잡농도대우2×1012cm-3시,전류증익추우포화.
