人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2005年
2期
359-363
,共5页
尚勇%董丽芳%马博琴%王志军
尚勇%董麗芳%馬博琴%王誌軍
상용%동려방%마박금%왕지군
金刚石薄膜%化学气相沉积%蒙特卡罗模拟%气相过程%甲烷浓度
金剛石薄膜%化學氣相沉積%矇特卡囉模擬%氣相過程%甲烷濃度
금강석박막%화학기상침적%몽특잡라모의%기상과정%갑완농도
本工作采用蒙特卡罗模拟,研究了以CH4/H2气体混合物作为源料气体的电子辅助热丝化学气相沉积中甲烷浓度对气相沉积过程的影响.计算了典型实验条件下电子能量分布,研究了电子平均能量、碎片H及CH3数目的空间分布、H与CH3的比值及CH3携带的能量随甲烷浓度的变化.结果表明:当电子能量为2-3eV时,电子的数密度达到一峰值;平均电子能量随着甲烷浓度的增加而增加;电子与气体分子碰撞产生的碎片H、CH3和CH2的数密度随距热丝的距离而变化;随着甲烷浓度的增加,原子氢H的数目缓慢下降,然而,官能团CH3和CH2的数目缓慢上升;H与CH3的数量比随甲烷浓度的增加而减少;碎片CH3携带的能量处于1～5eV范围之内,且当甲烷浓度为1.3%时,该能量达到一最值.
本工作採用矇特卡囉模擬,研究瞭以CH4/H2氣體混閤物作為源料氣體的電子輔助熱絲化學氣相沉積中甲烷濃度對氣相沉積過程的影響.計算瞭典型實驗條件下電子能量分佈,研究瞭電子平均能量、碎片H及CH3數目的空間分佈、H與CH3的比值及CH3攜帶的能量隨甲烷濃度的變化.結果錶明:噹電子能量為2-3eV時,電子的數密度達到一峰值;平均電子能量隨著甲烷濃度的增加而增加;電子與氣體分子踫撞產生的碎片H、CH3和CH2的數密度隨距熱絲的距離而變化;隨著甲烷濃度的增加,原子氫H的數目緩慢下降,然而,官能糰CH3和CH2的數目緩慢上升;H與CH3的數量比隨甲烷濃度的增加而減少;碎片CH3攜帶的能量處于1～5eV範圍之內,且噹甲烷濃度為1.3%時,該能量達到一最值.
본공작채용몽특잡라모의,연구료이CH4/H2기체혼합물작위원료기체적전자보조열사화학기상침적중갑완농도대기상침적과정적영향.계산료전형실험조건하전자능량분포,연구료전자평균능량、쇄편H급CH3수목적공간분포、H여CH3적비치급CH3휴대적능량수갑완농도적변화.결과표명:당전자능량위2-3eV시,전자적수밀도체도일봉치;평균전자능량수착갑완농도적증가이증가;전자여기체분자팽당산생적쇄편H、CH3화CH2적수밀도수거열사적거리이변화;수착갑완농도적증가,원자경H적수목완만하강,연이,관능단CH3화CH2적수목완만상승;H여CH3적수량비수갑완농도적증가이감소;쇄편CH3휴대적능량처우1～5eV범위지내,차당갑완농도위1.3%시,해능량체도일최치.
