电子显微学报
電子顯微學報
전자현미학보
JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
2011年
1期
39-42
,共4页
臧侃%于迎辉%秦志辉%曹更玉
臧侃%于迎輝%秦誌輝%曹更玉
장간%우영휘%진지휘%조경옥
H%Si(111)-7×7%局域电子态密度(LDOS)%单分子振动谱%扫描隧道显微镜(STM)
H%Si(111)-7×7%跼域電子態密度(LDOS)%單分子振動譜%掃描隧道顯微鏡(STM)
H%Si(111)-7×7%국역전자태밀도(LDOS)%단분자진동보%소묘수도현미경(STM)
利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸附前后这些位置的LDOS并阐明了产生这些变化的原因,又测量获得了表面单分子Si-H化学键的振动和摆动模式.
利用超高真空掃描隧道顯微鏡(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低溫條件下研究瞭H/Si(111)-7×7吸附體繫.H原子易于吸附在錶麵增原子(adatom)以及剩餘原子(rest atom)的位置,導緻錶麵跼域電子態密度(LDOS)和STM圖像髮生明顯的變化.利用掃描隧道譜技術(STS)測量穫得瞭H吸附前後這些位置的LDOS併闡明瞭產生這些變化的原因,又測量穫得瞭錶麵單分子Si-H化學鍵的振動和襬動模式.
이용초고진공소묘수도현미경(UHV-STM),재액담(78K)급액양(4.2K)저온조건하연구료H/Si(111)-7×7흡부체계.H원자역우흡부재표면증원자(adatom)이급잉여원자(rest atom)적위치,도치표면국역전자태밀도(LDOS)화STM도상발생명현적변화.이용소묘수도보기술(STS)측량획득료H흡부전후저사위치적LDOS병천명료산생저사변화적원인,우측량획득료표면단분자Si-H화학건적진동화파동모식.
