原子与分子物理学报
原子與分子物理學報
원자여분자물이학보
CHINESE JOURNAL OF ATOMIC AND MOLECULAR PHYSICS
2011年
6期
1117-1122
,共6页
电子结构%光学性质%第一性原理
電子結構%光學性質%第一性原理
전자결구%광학성질%제일성원리
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面超赝势方法计算研究了Cu2 Se的电子结构、态密度和光学性质.能带结构分析表明Cu2 Se为半金属、上价带主要由Se的4p电子构成下价带主要由Cu的3d电子构成静态介电常数为1.41折射率为7.74吸收系数在可见光范国内最小值为1×105 cm-1且在高能区对光子的吸收减小为零其电子能量损失峰在26.84 eV正好对应反射系数急剧下降的位置光电导率的波谷出现的能量范围与前面的吸收系数和消光系数的峰值和波谷出现的位置完全对应.
採用基于密度汎函理論(DFT)的第一性原理的平麵超贗勢方法計算研究瞭Cu2 Se的電子結構、態密度和光學性質.能帶結構分析錶明Cu2 Se為半金屬、上價帶主要由Se的4p電子構成下價帶主要由Cu的3d電子構成靜態介電常數為1.41摺射率為7.74吸收繫數在可見光範國內最小值為1×105 cm-1且在高能區對光子的吸收減小為零其電子能量損失峰在26.84 eV正好對應反射繫數急劇下降的位置光電導率的波穀齣現的能量範圍與前麵的吸收繫數和消光繫數的峰值和波穀齣現的位置完全對應.
채용기우밀도범함이론(DFT)적제일성원리적평면초안세방법계산연구료Cu2 Se적전자결구、태밀도화광학성질.능대결구분석표명Cu2 Se위반금속、상개대주요유Se적4p전자구성하개대주요유Cu적3d전자구성정태개전상수위1.41절사솔위7.74흡수계수재가견광범국내최소치위1×105 cm-1차재고능구대광자적흡수감소위령기전자능량손실봉재26.84 eV정호대응반사계수급극하강적위치광전도솔적파곡출현적능량범위여전면적흡수계수화소광계수적봉치화파곡출현적위치완전대응.
