红外技术
紅外技術
홍외기술
INFRARED TECHNOLOGY
2012年
6期
361-365
,共5页
张卫锋%张若岚%赵鲁生%胡锐%史衍丽
張衛鋒%張若嵐%趙魯生%鬍銳%史衍麗
장위봉%장약람%조로생%호예%사연려
InGaAs%短波红外%焦平面阵列%红外探测器
InGaAs%短波紅外%焦平麵陣列%紅外探測器
InGaAs%단파홍외%초평면진렬%홍외탐측기
InxGa1 -xAs材料属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金材料,随In组分含量的不同,其光谱响应的截止波长可在0.87～3.5 μm范围内变化,并具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生长方式,很容易获得大面积高质量的外延材料,InGaAs材料因此成为一种重要的短波红外探测材料.InGaAs探测器可以在室温或近室温下工作,且具有较高的灵敏度和探测率,是小型化、低成本和高可靠性的短波红外探测系统的最佳选择,因此InGaAs短波红外探测器获得了飞速的发展和广泛的应用.同时对国内外InGaAs焦平面探测器发展状况和趋势进行了介绍.
InxGa1 -xAs材料屬于Ⅲ-Ⅴ族化閤物半導體閤金材料,隨In組分含量的不同,其光譜響應的截止波長可在0.87～3.5 μm範圍內變化,併具有高量子效率,加之成熟的MBE和MOVCD材料生長方式,很容易穫得大麵積高質量的外延材料,InGaAs材料因此成為一種重要的短波紅外探測材料.InGaAs探測器可以在室溫或近室溫下工作,且具有較高的靈敏度和探測率,是小型化、低成本和高可靠性的短波紅外探測繫統的最佳選擇,因此InGaAs短波紅外探測器穫得瞭飛速的髮展和廣汎的應用.同時對國內外InGaAs焦平麵探測器髮展狀況和趨勢進行瞭介紹.
InxGa1 -xAs재료속우Ⅲ-Ⅴ족화합물반도체합금재료,수In조분함량적불동,기광보향응적절지파장가재0.87～3.5 μm범위내변화,병구유고양자효솔,가지성숙적MBE화MOVCD재료생장방식,흔용역획득대면적고질량적외연재료,InGaAs재료인차성위일충중요적단파홍외탐측재료.InGaAs탐측기가이재실온혹근실온하공작,차구유교고적령민도화탐측솔,시소형화、저성본화고가고성적단파홍외탐측계통적최가선택,인차InGaAs단파홍외탐측기획득료비속적발전화엄범적응용.동시대국내외InGaAs초평면탐측기발전상황화추세진행료개소.
