半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
2期
345-348
,共4页
杨茹%李国辉%姬成周%田晓娜%韩德俊%马本堃
楊茹%李國輝%姬成週%田曉娜%韓德俊%馬本堃
양여%리국휘%희성주%전효나%한덕준%마본곤
单基极%薄基区%全离子注入
單基極%薄基區%全離子註入
단기겁%박기구%전리자주입
为研究单基极薄基区晶体管的特性,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构,基区的平均浓度为1018cm-3.经过版图设计和工艺流片,在2μm实验工艺线上研制了这种器件.基极采用电压输入,Vbe在1.1V附近,跨导和电流增益都达到峰值,小信号电流增益βac(ΔIc/ΔIb)=2.7,小信号跨导gmac(ΔIc/Δvbe)=0.45mS,且gmac/gm(Ic/Vbe)比βac/β(Ic/Ib)大得多,跨导比电流增益更能准确地描述器件特性,这种器件更倾向于电压控制型器件,特别适用于数字电路的开发和应用.
為研究單基極薄基區晶體管的特性,設計瞭一種單側基極引齣結構薄基區的晶體管,在p型SOI襯底上全離子註入實現瞭基區寬度為80nm的npn縱嚮結構,基區的平均濃度為1018cm-3.經過版圖設計和工藝流片,在2μm實驗工藝線上研製瞭這種器件.基極採用電壓輸入,Vbe在1.1V附近,跨導和電流增益都達到峰值,小信號電流增益βac(ΔIc/ΔIb)=2.7,小信號跨導gmac(ΔIc/Δvbe)=0.45mS,且gmac/gm(Ic/Vbe)比βac/β(Ic/Ib)大得多,跨導比電流增益更能準確地描述器件特性,這種器件更傾嚮于電壓控製型器件,特彆適用于數字電路的開髮和應用.
위연구단기겁박기구정체관적특성,설계료일충단측기겁인출결구박기구적정체관,재p형SOI츤저상전리자주입실현료기구관도위80nm적npn종향결구,기구적평균농도위1018cm-3.경과판도설계화공예류편,재2μm실험공예선상연제료저충기건.기겁채용전압수입,Vbe재1.1V부근,과도화전류증익도체도봉치,소신호전류증익βac(ΔIc/ΔIb)=2.7,소신호과도gmac(ΔIc/Δvbe)=0.45mS,차gmac/gm(Ic/Vbe)비βac/β(Ic/Ib)대득다,과도비전류증익경능준학지묘술기건특성,저충기건경경향우전압공제형기건,특별괄용우수자전로적개발화응용.
