沈阳理工大学学报
瀋暘理工大學學報
침양리공대학학보
JOURNAL OF SHENYANG INTITUTE OF TECHNOLOGY
2009年
4期
92-94
,共3页
沈龙海%李博文%李凤岐%崔启良
瀋龍海%李博文%李鳳岐%崔啟良
침룡해%리박문%리봉기%최계량
AIN纳米线%半导体材料%直流电弧放电%光致发光
AIN納米線%半導體材料%直流電弧放電%光緻髮光
AIN납미선%반도체재료%직류전호방전%광치발광
在无催化剂和模板条件,利用直流电弧放电等离子方法直接氮化金属铝合成纤锌矿结构的单晶AIN纳米线.分别用X光射线衍射(XRD)和场发射扫描电镜(FESEM)对AIN纳米线的结构和形貌进行表征,并测量了AIN纳米线的光致发光谱(PL).结果表明,AIN纳米线的长度超过100 μm.直径大约200 nm,具有较高的长径比;在AIN纳米线的PL谱中,中心在506nm的发射带源于氮空位相关的深能级缺陷.
在無催化劑和模闆條件,利用直流電弧放電等離子方法直接氮化金屬鋁閤成纖鋅礦結構的單晶AIN納米線.分彆用X光射線衍射(XRD)和場髮射掃描電鏡(FESEM)對AIN納米線的結構和形貌進行錶徵,併測量瞭AIN納米線的光緻髮光譜(PL).結果錶明,AIN納米線的長度超過100 μm.直徑大約200 nm,具有較高的長徑比;在AIN納米線的PL譜中,中心在506nm的髮射帶源于氮空位相關的深能級缺陷.
재무최화제화모판조건,이용직류전호방전등리자방법직접담화금속려합성섬자광결구적단정AIN납미선.분별용X광사선연사(XRD)화장발사소묘전경(FESEM)대AIN납미선적결구화형모진행표정,병측량료AIN납미선적광치발광보(PL).결과표명,AIN납미선적장도초과100 μm.직경대약200 nm,구유교고적장경비;재AIN납미선적PL보중,중심재506nm적발사대원우담공위상관적심능급결함.
