微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
8期
503-506
,共4页
张力江%幺锦强%崔玉兴%付兴昌
張力江%幺錦彊%崔玉興%付興昌
장력강%요금강%최옥흥%부흥창
GaAs%感应耦合等离子体%p-i-n二极管%湿法腐蚀%干法刻蚀
GaAs%感應耦閤等離子體%p-i-n二極管%濕法腐蝕%榦法刻蝕
GaAs%감응우합등리자체%p-i-n이겁관%습법부식%간법각식
基于GaAs p-i-n器件的制造工艺,介绍了器件制造过程中关键工艺步骤p-i层的去除方法,并总结分析了在p-i层去除过程中不同的方法对工艺结果造成的影响.分别采用了湿法腐蚀和干法刻蚀的方法制作了器件,结果表明采用湿法腐蚀的方法去除p-i层时,由于腐蚀的各项异性造成的影响无法消除,会影响器件的性能.阐述了影响干法刻蚀的设备因素和工艺因素,讨论分析了不同的气体、腔体的真空度以及不同的功率对最终结果的影响.最终得到刻蚀均匀、稳定的干法刻蚀条件,将ICP干法刻蚀工艺引入GaAs p-i-n器件制造.
基于GaAs p-i-n器件的製造工藝,介紹瞭器件製造過程中關鍵工藝步驟p-i層的去除方法,併總結分析瞭在p-i層去除過程中不同的方法對工藝結果造成的影響.分彆採用瞭濕法腐蝕和榦法刻蝕的方法製作瞭器件,結果錶明採用濕法腐蝕的方法去除p-i層時,由于腐蝕的各項異性造成的影響無法消除,會影響器件的性能.闡述瞭影響榦法刻蝕的設備因素和工藝因素,討論分析瞭不同的氣體、腔體的真空度以及不同的功率對最終結果的影響.最終得到刻蝕均勻、穩定的榦法刻蝕條件,將ICP榦法刻蝕工藝引入GaAs p-i-n器件製造.
기우GaAs p-i-n기건적제조공예,개소료기건제조과정중관건공예보취p-i층적거제방법,병총결분석료재p-i층거제과정중불동적방법대공예결과조성적영향.분별채용료습법부식화간법각식적방법제작료기건,결과표명채용습법부식적방법거제p-i층시,유우부식적각항이성조성적영향무법소제,회영향기건적성능.천술료영향간법각식적설비인소화공예인소,토론분석료불동적기체、강체적진공도이급불동적공솔대최종결과적영향.최종득도각식균균、은정적간법각식조건,장ICP간법각식공예인입GaAs p-i-n기건제조.
