光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
2期
125-128
,共4页
高温固相法%ZnMoO4:Tb3+%电荷补偿剂
高溫固相法%ZnMoO4:Tb3+%電荷補償劑
고온고상법%ZnMoO4:Tb3+%전하보상제
采用高温固相法合成了Zn<,0.8>Tb<,0.15>MoO<,4>绿色荧光粉,利用XRD和荧光光谱仪对样品进行了测试表征.XRD测试结果表明,在800℃温度下烧结能形成ZnMoO<,4>纯相.激发光谱由MoO<,4><'-2>的电荷迁移宽带(CT)和Tb<'3+>离子特征激发峰组成;研究发现,掺杂了K<'+>离子后电荷迁移带峰位位置向短波方向移动;分析了碱土金属离子K<'+>作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响,发现加入电荷补偿剂可大大提高样品的发光强度.该荧光粉的发射光谱光由位于487 nm,543 nm,584 nm,620 nm处的四组发射峰组成,分别对应Tb件的<'5>D<,4>-TF<,6>(487 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,5>(543 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,4>(584 nm)和<'3>D<,4>-<'7>F<,3>(620 nm)能级跃迁,而<'5>D<,4>-F<,5>(543 nm)的跃迁发射最强.
採用高溫固相法閤成瞭Zn<,0.8>Tb<,0.15>MoO<,4>綠色熒光粉,利用XRD和熒光光譜儀對樣品進行瞭測試錶徵.XRD測試結果錶明,在800℃溫度下燒結能形成ZnMoO<,4>純相.激髮光譜由MoO<,4><'-2>的電荷遷移寬帶(CT)和Tb<'3+>離子特徵激髮峰組成;研究髮現,摻雜瞭K<'+>離子後電荷遷移帶峰位位置嚮短波方嚮移動;分析瞭堿土金屬離子K<'+>作為電荷補償劑對樣品髮光性能的影響,髮現加入電荷補償劑可大大提高樣品的髮光彊度.該熒光粉的髮射光譜光由位于487 nm,543 nm,584 nm,620 nm處的四組髮射峰組成,分彆對應Tb件的<'5>D<,4>-TF<,6>(487 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,5>(543 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,4>(584 nm)和<'3>D<,4>-<'7>F<,3>(620 nm)能級躍遷,而<'5>D<,4>-F<,5>(543 nm)的躍遷髮射最彊.
채용고온고상법합성료Zn<,0.8>Tb<,0.15>MoO<,4>록색형광분,이용XRD화형광광보의대양품진행료측시표정.XRD측시결과표명,재800℃온도하소결능형성ZnMoO<,4>순상.격발광보유MoO<,4><'-2>적전하천이관대(CT)화Tb<'3+>리자특정격발봉조성;연구발현,참잡료K<'+>리자후전하천이대봉위위치향단파방향이동;분석료감토금속리자K<'+>작위전하보상제대양품발광성능적영향,발현가입전하보상제가대대제고양품적발광강도.해형광분적발사광보광유위우487 nm,543 nm,584 nm,620 nm처적사조발사봉조성,분별대응Tb건적<'5>D<,4>-TF<,6>(487 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,5>(543 nm),<'5>D<,4>-<'7>F<,4>(584 nm)화<'3>D<,4>-<'7>F<,3>(620 nm)능급약천,이<'5>D<,4>-F<,5>(543 nm)적약천발사최강.
