人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2011年
3期
599-603
,共5页
苗丽燕%杨仕娥%李艳阳%陈永生%谷锦华%卢景霄
苗麗燕%楊仕娥%李豔暘%陳永生%穀錦華%盧景霄
묘려연%양사아%리염양%진영생%곡금화%로경소
微晶硅薄膜电池%p/i界面%光电转换效率
微晶硅薄膜電池%p/i界麵%光電轉換效率
미정규박막전지%p/i계면%광전전환효솔
采用美国宾州大学开发的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)软件模拟了p/i界面缺陷态密度(Npt/i)和非晶孵化层厚度(d)对pin型氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太阳电池性能的影响.结果表明:随着Npt/i的增大,电池的开路电压Voc和填充因子FF单调减小,短路电流Jsc基本不变;随着d的增大,Jsc和FF单调减小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均会导致电池光电转换效率η下降.通过对电池内部的电场及能带的分析,对上述模拟结果进行了解释.
採用美國賓州大學開髮的AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)軟件模擬瞭p/i界麵缺陷態密度(Npt/i)和非晶孵化層厚度(d)對pin型氫化微晶硅(μc-Si:H)薄膜太暘電池性能的影響.結果錶明:隨著Npt/i的增大,電池的開路電壓Voc和填充因子FF單調減小,短路電流Jsc基本不變;隨著d的增大,Jsc和FF單調減小,Voc反而增大;Npt/i和d值的增大均會導緻電池光電轉換效率η下降.通過對電池內部的電場及能帶的分析,對上述模擬結果進行瞭解釋.
채용미국빈주대학개발적AMPS(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)연건모의료p/i계면결함태밀도(Npt/i)화비정부화층후도(d)대pin형경화미정규(μc-Si:H)박막태양전지성능적영향.결과표명:수착Npt/i적증대,전지적개로전압Voc화전충인자FF단조감소,단로전류Jsc기본불변;수착d적증대,Jsc화FF단조감소,Voc반이증대;Npt/i화d치적증대균회도치전지광전전환효솔η하강.통과대전지내부적전장급능대적분석,대상술모의결과진행료해석.
