微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
6期
794-798
,共5页
采样开关%自举电路%电荷分享%无杂散动态范围
採樣開關%自舉電路%電荷分享%無雜散動態範圍
채양개관%자거전로%전하분향%무잡산동태범위
提出了一种适合低电源电压应用的新型MOS自举采样开关电路.通过“复制”自举电容和采样开关作为电荷损耗检测电路,并将检测出的电压降低值重新加到自举电容上,解决了传统MOS自举采样开关在低电源电压下工作时的电荷分享问题.基于0.18μm标准CMOS工艺,对电路进行了仿真.结果显示,在输入频率为60 MHz、峰-峰值为1V、采样频率为125 MHz时,与传统自举采样电路相比,新型自举采样电路采样开关管具有更低的导通电阻,无杂散动态范围( SFDR)提高了8dB,特别适合在低压高速A/D转换器中使用.
提齣瞭一種適閤低電源電壓應用的新型MOS自舉採樣開關電路.通過“複製”自舉電容和採樣開關作為電荷損耗檢測電路,併將檢測齣的電壓降低值重新加到自舉電容上,解決瞭傳統MOS自舉採樣開關在低電源電壓下工作時的電荷分享問題.基于0.18μm標準CMOS工藝,對電路進行瞭倣真.結果顯示,在輸入頻率為60 MHz、峰-峰值為1V、採樣頻率為125 MHz時,與傳統自舉採樣電路相比,新型自舉採樣電路採樣開關管具有更低的導通電阻,無雜散動態範圍( SFDR)提高瞭8dB,特彆適閤在低壓高速A/D轉換器中使用.
제출료일충괄합저전원전압응용적신형MOS자거채양개관전로.통과“복제”자거전용화채양개관작위전하손모검측전로,병장검측출적전압강저치중신가도자거전용상,해결료전통MOS자거채양개관재저전원전압하공작시적전하분향문제.기우0.18μm표준CMOS공예,대전로진행료방진.결과현시,재수입빈솔위60 MHz、봉-봉치위1V、채양빈솔위125 MHz시,여전통자거채양전로상비,신형자거채양전로채양개관관구유경저적도통전조,무잡산동태범위( SFDR)제고료8dB,특별괄합재저압고속A/D전환기중사용.
